КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 22-79-00146
НазваниеИсследование особенностей синтеза полупроводниковых наногетероструктур InGaAs/InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии для создания фотодетекторов c высокой фоточувствительностью в диапазоне длин волн 2.2-2.5 мкм
Руководитель Соболев Максим Сергеевич, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук" , г Санкт-Петербург
Конкурс №70 - Конкурс 2022 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными
Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки; 09-608 - Инженерно-технические и информационные автоматизированные системы мониторинга биоресурсов, биосферы и технических систем
Ключевые слова Молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, фотодетекторы, коротковолновый инфракрасный диапазон, InP, А3B5
Код ГРНТИ29.19.31
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
Проект направлен на решение научных проблем, связанных с разработкой конструктивных и технологических принципов формирования полупроводниковых наногетероструктур для создания эффективных InGaAs/InP фотодетекторов c высокой фоточувствительностью в диапазоне длин волн 2.2-2.5 мкм.
Атмосфера практически прозрачна для коротковолнового инфракрасного диапазона (SWIR) 1-3 мкм, однако он содержит полосы сильного поглощения паров воды в районе длин волн 1,4, 1,9 и 2,7 мкм. Такой высокий контраст делает этот диапазон очень востребованным для множества приложений, например, определения погоды со спутника, исследования окружающей среды или ресурсных исследований. Другие приложения включают абсорбционную спектроскопию газов или жидкостей, тепловизионные датчики и приборы ночного видения.
Для успешной реализации поставленной цели необходимо решить достаточно обширный круг задач, связанных с разработкой конструкции буферных слоев для перехода от подложки InP к активным слоям фотодетектора, а также с уменьшением темнового тока в InxGa1-xAs/InP (вплоть до x=82%) фотодетекторах без ухудшения рабочих характеристик.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ