КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 22-72-00135
НазваниеМикроволновая спектроскопия перспективных полупроводников систем на основе квантовых ям Si/SiGe
Руководитель Хисамеева Алина Рамилевна, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук , Московская обл
Конкурс №70 - Конкурс 2022 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными
Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-202 - Полупроводники
Ключевые слова полупроводник, двумерная система, электронный спиновый резонанс, спинтроника, электрон-электронное взаимодействие, спин-орбитальное взаимодействие
Код ГРНТИ29.19.22
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
Одним из способов преодолеть фундаментальные ограничения, возникшие на пути развития современной микроэлектроники, является использование спиновой степени свободы в дополнении к заряду для хранения и обработки информации. Приборы спиновой электроники потенциально имеют целый ряд принципиальных преимуществ, таких как: малое энергопотребление, большая информационная емкость и значительное быстродействие. Ключевым направлением данной области науки и технологии является полупроводниковая спинтроника. Действительно, использование полупроводников и полупроводниковых гетероструктур в качестве основы позволит применять современные и хорошо проработанные фабричные технологии изготовления, а значит, изучение физики спина в совместимых с кремниевыми технологиями структурах приобретает особую актуальность.
В рамках данного проекта предполагается изучить микроволновый отклик в Si/SiGe гетероструктурах, содержащих высококачественную электронную систему. Такая система полностью совместима с фабричными кремниевыми технологиями: изготовление контактов, плазменное травление и т.д. Отметим, что малое спин-орбитальное взаимодействие в таких структурах обеспечивает длительное время релаксации неравновесной спиновой поляризации, а именно этот параметр является одним из ключевых для хранения и обработки информации в рамках спиновой электроники.
Актуальность запланированных исследований связана не только с прикладным значениям Si/SiGe гетероструктур, но и с возможностью существенно продвинуться в понимании физики спина в условиях квантующего магнитного поля. Так большая масса электрона в таких структурах обеспечивает доминирование электрон-электронного взаимодействия, что, по всей видимости, приводит к целому ряду разнообразных и красивых с фундаментальной точки зрения эффектов: Стонеровская неустойчивость, Вигнеровская кристаллизация и т.д. А, например, большое время жизни спиновых волн в квантующем магнитном поле из-за малого спин-орбитального взаимодействия может обеспечить возможность Бозе-Эйнштейновской конденсации таких возбуждений. Все эти эффекты предполагается изучить в рамках данного проекта.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ