КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

---

Номер проекта 22-29-01257

НазваниеИсследование пространственной неоднородности процесса переключения мощных полупроводниковых приборов

Руководитель Любутин Сергей Константинович, Кандидат технических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук , Свердловская обл

Конкурс №64 - Конкурс 2021 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»

Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки; 09-303 - Сильноточная электроника и электроника больших мощностей

Ключевые слова ударно-ионизационный фронт в полупроводнике, электронно -дырочная плазма , переключение полупроводниковых приборов импульсом напряжения, пикосекундное время переключения, активная площадь структуры, пространственная неоднородность распределения тока в полупроводниках

Код ГРНТИ47.33.29

---

 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

---

Аннотация
Проект направлен на решение фундаментальной научной проблемы – сверхбыстрой (пикосекундной) коммутации больших электрических мощностей полупроводниковыми приборами. Основная цель проекта заключается в исследовании пространственной неоднородности распределения тока по сечению прибора (силового диода и тиристора) при его переключении в режиме ударно-ионизационной волны. В ходе выполнения работ по проекту будут решаться следующие основные задачи: 1. Экспериментальное исследование ударно-ионизационного процесса переключения силовых диодов и тиристоров, отличающихся уровнем легирования исходного кремния структур, при скорости нарастания напряжения запуска dU/dt от 0.5 до 10 kV/ns . 2. Численное моделирование процесса переключения диодов и тиристоров в условиях проводимых экспериментов. Оценка величины активной площади структуры, через которую происходит переключение прибора и дальнейшее протекание тока. Исследование влияния dU/dt и уровня легирования исходного кремния на процесс формирования и величину активной площади. 3. Экспериментальное исследование работы силовых тиристоров на стадии протекания разрядного тока. 4. Численное моделирование работы тиристора на стадии протекания тока. Основное внимания будет уделено работе тиристоров на стадии нарастания разрядного тока. Оценка величины активной площади от dU/dt. В моделировании будут использованы полученные в 3) экспериментальные данные

---

 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

---