КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 22-29-01095
НазваниеИсследование "рениевого эффекта" в тонких пленках сплавов тугоплавких металлов
Руководитель Шевяков Василий Иванович, Доктор технических наук
Организация финансирования, регион федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" , г Москва
Конкурс №64 - Конкурс 2021 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки; 09-703 - Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники
Ключевые слова кремниевая высокотемпературная электроника, металлизация, сплавы тугоплавких металлов, рениевый эффект/
Код ГРНТИ47.13.11
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
В настоящее время одним из приоритетных направлений развития электронной отрасли как за рубежом, так и у нас в стране является создание кремниевых полупроводниковых приборов и ИС, способных функционировать при температуре 200°С и выше.
Применение изделий высокотемпературной кремниевой микро- и наноэлектроники в оборудовании, эксплуатируемом при высоких рабочих температурах, позволит повысить надежность функционирования различных объектов (атомные и тепловые электростанции, авиакосмическая техника, авто- и электромобили и т.д.).
Поскольку в настоящее время отечественные исследователи находятся лишь на начальном этапе поисковых исследований по созданию сложно - функциональной высокотемпературной кремниевой микро- и наноэлектроники, а литературные источники зарубежных научных исследований по данной тематике малочисленны, то существует необходимость как в научных исследованиях, так и прикладных разработках базовых технологий изделий высокотемпературной кремниевой элементной базы, что позволит обеспечить инновационный и технологический прорыв.
К критическому узлу кремниевой электронной компонентной базы, с точки зрения тепловой устойчивости, относится металлизация. Одним из ее функциональных элементов являются межсоединения, к которым предъявляются качественно новые требования, связанные с надежностью функционирования системы металлизации в целом. Используемые в настоящее время материалы металлизации кремниевых устройств не способны удовлетворить требованиям, предъявляемым к высокотемпературным кремниевых приборам и ИС. Поэтому необходим поиск новых конструкционных материалов, В связи с этим решение данной проблемы является своевременным и актуальным.
В проекте в качестве объекта исследования выбраны тонкие пленки тугоплавких металлов (на примере вольфрама), обладающих .повышенной электромиграционной стойкостью. Для решения проблемы неудовлетворительных механических свойств и низкой адгезионной способности пленок вольфрама нами использован известный «рениевый эффект», проявляющийся в существенном улучшении пластичности тугоплавких материалов: вольфрама и молибдена при добавке в их объем (5-10%) рения. Данный сплав широко используется, например, в металлургической промышленности. Однако, до настоящего времени в мировой литературе практически отсутствуют сведения, раскрывающие физико-химический механизм, объясняющий проявление «рениевого эффекта» в тугоплавких материалах, а также сведения о элементах - аналогах. рения.
Исследование закономерностей действия «рениевого эффекта» в тугоплавких материалах на примере вольфрама и выявление примесей, действие которых аналогично рению, как раз и является основной задачей проекта.
Будут исследованы роль фоновой примеси углерода и его местоположение в объеме исходных поликристаллических пленок вольфрама на механические характеристики пленок.
Будет проведено исследование влияния добавки рения (5-10%) а также добавок титана (5-25%), или азота (5-25%), предположительно как альтернативных рению, на электрофизические и механические свойства (встроенные механические напряжения и адгезионная способность) пленок вольфрама.
Будет проведено исследование влияния рения и альтернативных добавок на содержание углерода в объеме поликристаллических зерен и на границах зерен в тонких пленках вольфрама до легирования пленок примесями и после. Для этого будут задействованы Оже – спектроскопия, ВИМС, электронная микроскопия на просвет, применен рентгеноструктурный анализ.
Будет проведено исследование электромиграционной стойкости тонких пленок сплавов вольфрама с рением, титаном или азотом.
Научная новизна результатов работы заключается в:
- - в выявлении роли углерода , как фоновой примеси в вольфраме, в изменении механических характеристик пленок вольфрама;
- установлении закономерностей влияния рения и добавок титана или азота, как альтернативных рению, на концентрацию и местоположение примеси углерода в поликристаллических пленках вольфрама;
- в предложенной физико – химическая модели, раскрывающей проявление «рениевого эффекта» в тонких пленах тугоплавких металлов на примере вольфрама;
- в установлении ряда элементов, которые проявляют аналогичный рению эффект при легировании тонких пленок тугоплавких металлов.
В итоге будут разработаны практические рекомендации по применению металлизации на основе сплавов вольфрама в кремниевых приборах и ИС, функционирующих при повышенных температурах (200оС и выше).
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Публикации
1.
Тимаков А.В., Шевяков В.И.
Investigation of the electrophysical and mechanical properties of metallization based on alloys W with Re, Ti, N for high-temperature silicon VLSI
Proceedings of SPIE, Vol.12157.- P. 1215719. (год публикации - 2022)
10.1117/12.2624348
2.
Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И.
Investigation of the deposition features and characteristics of diffusion-barrier layers of Ti-TiN for metallization in MIS-transistor structures with a vertical channel
Proceedings of SPIE, Vol.12157.- P. 121571A. (год публикации - 2022)
10.1117/12.2624508
3.
Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И.
Исследование влияния плазменной обработки на свойства сформированных химическим осаждением из газовой фазы тонких пленок нитрида титана
Известия вузов Электроника, № 6. – С. 715-722. (год публикации - 2022)
10.24151/1561-5405-2022-27-6-715-722
4.
ТимаковА.В., Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И.
Многоуровневая металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе вольфрама. Физика и технология
Известия высших учебных заведений. Электроника., Т. 28, № 2. — С. 164-179 (год публикации - 2023)
10.24151/1561-5405-2023-28-2-164-179
Публикации
1.
Тимаков А.В., Шевяков В.И.
Investigation of the electrophysical and mechanical properties of metallization based on alloys W with Re, Ti, N for high-temperature silicon VLSI
Proceedings of SPIE, Vol.12157.- P. 1215719. (год публикации - 2022)
10.1117/12.2624348
2.
Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И.
Investigation of the deposition features and characteristics of diffusion-barrier layers of Ti-TiN for metallization in MIS-transistor structures with a vertical channel
Proceedings of SPIE, Vol.12157.- P. 121571A. (год публикации - 2022)
10.1117/12.2624508
3.
Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И.
Исследование влияния плазменной обработки на свойства сформированных химическим осаждением из газовой фазы тонких пленок нитрида титана
Известия вузов Электроника, № 6. – С. 715-722. (год публикации - 2022)
10.24151/1561-5405-2022-27-6-715-722
4.
ТимаковА.В., Горностай-Польский В.С., Шевяков В.И.
Многоуровневая металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе вольфрама. Физика и технология
Известия высших учебных заведений. Электроника., Т. 28, № 2. — С. 164-179 (год публикации - 2023)
10.24151/1561-5405-2023-28-2-164-179