КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

---

Номер проекта 22-22-00726

НазваниеМногоподзонный транспорт высокоподвижных носителей заряда в латеральных сверхрешетках на основе квантовых ям GaAs и HgTe

Руководитель Быков Алексей Александрович, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук , Новосибирская обл

Конкурс №64 - Конкурс 2021 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-202 - Полупроводники

Ключевые слова твердотельные наносистемы, полупроводниковые гетероструктуры, латеральные сверхрешётки, высокоподвижные низкоразмерные электронные системы

Код ГРНТИ29.19.31

---

 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

---

Аннотация
Полупроводниковые квантовые ямы с высокой подвижностью носителей заряда составляют основу современных микроэлектронных систем хранения, обработки и передачи информации, дальнейшее развитие которых невозможно без создания и всестороннего исследования фундаментальных свойств новых твердотельных систем пониженной размерности. Многие годы лидирующее положение в этих исследованиях занимали квантовые ямы GaAs, которые и до сегодняшнего дня остаются наиболее высокоподвижными двумерными (2D) электронными системами. Достигнутые к настоящему времени успехи в выращивании совершенных квантовых ям HgTe различной толщины привели к созданию совершенных систем пониженной размерности с прямым, бесщелевым, линейным, инвертированным и полуметаллическим спектром, что позволяет исследовать экспериментально транспортные свойства 2D дираковских фермионов, перенос носителей заряда в 2D полуметаллах и 2D топологических изоляторах. Исследования таких 2D систем в периодическом латеральном потенциале только начаты и являются актуальными и перспективными для получения новых фундаментальных знаний, имеющих большое прикладное значение для интенсивно развивающихся наноэлектроники, терагерцовой электроники и нанофотоники. Несмотря на бум в исследовании электронных свойств квантовых ям HgTe, экспериментальное изучение транспорта в высокоподвижных квантовых ямах GaAs также остается до сих пор актуальным и значимым для физики низкоразмерных систем. Прогресс в создании высокоподвижных квантовых ям GaAs с несколькими заполненными подзонами позволяет исследовать в таких квазидвумерных системах новые фундаментальные аспекты переноса носителей заряда в условиях межподзонных переходов, в том числе в неравновесных условиях, создаваемых микроволновым излучением и в условиях магнитного запутывания электронных состояний. Исследования высокоподвижных квазидвумерных систем в периодическом латеральном потенциале уже начаты и являются перспективными для установления роли зон Ландау и особенностей Ван Хова в магнитном запутывании и межподзонном рассеянии электронов. Целью настоящего проекта является создание высокоподвижных многоподзонных электронных систем с латеральной периодической модуляцией на основе квантовых ям GaAs и HgTe различной толщины, их всестороннее изучение и обнаружение в них новых физических явлений. Все задачи, поставленные в проекте, являются новыми, а ожидаемые результаты соответствуют мировому уровню в области физики переноса носителей заряда в полупроводниковых низкоразмерных системах. Актуальность планируемых исследований обусловлена фундаментальной и прикладной значимостью новых ожидаемых научных результатов.

---

 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

---