КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 20-72-00030
НазваниеТеория нематической сверхпроводимости в топологических изоляторах
Руководитель Акзянов Рамиль Шарифуллович, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" , г Москва
Конкурс №49 - Конкурс 2020 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными
Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-209 - Низкие температуры и сверхпроводимость
Ключевые слова Сверхпроводимость, топологический изолятор, фермион Майораны, андреевские состояния
Код ГРНТИ21.19.29
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
В рамках проекта будут теоретически изучены свойства топологических изоляторов с нематической сверхпроводимостью. Не так давно экспериментально были получены достаточно хорошие кристаллы сверхпроводящих топологических изоляторов, что позволило пронаблюдать целый ряд необычных эффектов, связанных с возникновением нематической сверхпроводимости. Данная топологическая сверхпроводимость имеет нетривиальное спаривание по спину. Кроме того, она нарушает симметрию вращения гамильтониана. Параметр порядка имеет векторную структуру, связанную с появлением выделенной оси в электронной системе. На текущий момент данная тема развита достаточно слабо в связи с лишь относительно недавним экспериментальным прогрессом в этой области. В частности, мало изученными являются эффекты слабой связи и различных квазичастичных свойств. Исследование данных вопросов позволит оценит перспективы создания новых устройств для сверхпроводящей электроники на основе топологических изоляторов с нематической сверхпроводимостью.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ