КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 23-72-30004

НазваниеСверхпроводящие функциональные материалы для передовых квантовых технологий

РуководительГолубов Александр Авраамович, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регион федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)", г Москва

Период выполнения при поддержке РНФ 2023 г. - 2026 г. 

Конкурс№81 - Конкурс 2023 года по мероприятию «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными.

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе, 02-209 - Низкие температуры и сверхпроводимость

Ключевые словаФункциональные материалы, магнитный топологический изолятор, магнитные сверхпроводники, сверхпроводниковая электроника, сверхпроводниковые кубиты, криогенный циркулятор, сверхпроводящий генератор сигналов, термометр,

Код ГРНТИ29.19.22


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
В настоящее время одним из наиболее перспективных и востребованных направлений развития электроники является поиск новых функциональных материалов с уникальными квантовыми свойствами, поскольку именно ставка на фундаментальные квантовые свойства материалов может обеспечить предельно достижимые, рекордные характеристики создаваемых приборов и устройств. Целью проекта является формирование физических основ для создания класса принципиально новых элементов и приборов пост-кремниевой электроники. Фундаментальный фокус проекта сосредоточен на исследовании возможностей применения в данной области функциональных квантовых материалов с топологически защищенными электронными подсистемами, сочетающих объемные магнитные свойства, и материалов, в которых реализовано сосуществование сверхпроводимости и магнетизма на атомарных масштабах. Прикладная часть проекта направлена на разработку, исследование и внедрение цифровых, аналоговых и квантовых наноустройств, реализованных на основе новых материалов и явлений. Планируется, что устройства будут работать как на постоянном токе, так и на частотах СВЧ диапазона. Предполагаемые к разработке принципиально новые устройства будут функционировать на основе принципов управления зонной структурой, электронной и фазовой когерентностью, квантовой суперпозицией, а также взаимодействием сверхпроводящего и магнитного параметров порядка соответствующих подсистем. Будут разработаны и предложены конкретные материалы и криогенные приборы для использования в цифровых и квантовых технологиях, заинтересованность в которых была высказаны промышленными партнерами проекта. Реализация проекта требует использования междисциплинарного подхода, основанного на современных экспериментальных методах исследования и диагностики функциональных микро- и наноструктур при криогенных температурах с беспрецедентным подавлением шумов, зондовой микроскопии и спектроскопии, химических методах синтеза монокристаллических материалов, передовых тонкопленочных технологиях. Для решения задач проекта будет реализовано соответствующее теоретическое сопровождение при участии ведущих ученых в данной области. Таким образом, проект разделен на четыре взаимосвязанных части, посвященных исследованиям магнитных топологических изоляторов, гибридных систем сверхпроводник-ферромагнетик, разработке управляющих элементов сверхпроводниковых квантовых схем и конкретных устройств на их основе, а также разработке элементов криогенной термометрии в милликельвиновом диапазоне. Планируемые к разработке устройства на сегодня в России не производятся, поэтому решение поставленных в проекте задач будет также способствовать прогрессу в области импортозамещения.

Ожидаемые результаты
Проект нацелен на получение значимых научных результатов в быстро развивающейся во всём мире области квантовых устройств, создаваемых на основе новых функциональных материалов. Мы уверены, что уровень полученных нами оригинальных результатов надежно обеспечит возможность их опубликования в наиболее высокорейтинговых ведущих международных журналах, индексируемых в Web of Science и Scopus, и, таким образом, продемонстрирует высокий уровень современной фундаментальной и прикладной российской науки. Целенаправленное использование уникальных свойств новых материалов позволит получить научные результаты, обеспечивающие качественный прогресс в технологической реализации цифровых и квантовых устройств. Наши исследования в области новых материалов и их использование для реализации вычислительных устройств и сенсоров, работающих на новых физических принципах, позволят вывести конструирование цифровых и квантовых элементов на качественно более высокий уровень. Так, например, сможет быть решена проблема масштабирования и устойчивости систем к электромагнитным возмущениям, зачастую за счет перевода их функционала на новые физические принципы. Одной из прикладных задач проекта является разработка высокочастотных криогенных генераторов и циркуляторов расположенных непосредственно на микрочипе, необходимых для оптимизации управления квантовыми элементами. В развитии данного направления заинтересован наш партнер - ФГУП “ВНИИА им. Н.Л.Духова”, который специализируется на развитии систем автоматизированного управления. ФГУП “ВНИИА им. Н.Л.Духова” разрабатывает коммерческие продукты в области систем автоматизации и использования новых функциональных материалов и будет принимать участие в финансировании настоящего проекта для развития своего потенциала. Другой задачей проекта является разработка криогенных термометров для измерения милликельвиновых температур, способных фиксировать как фононные, так и электронные возбуждения. В данной разработке заинтересован второй партнер проекта, компания ООО “Криотрейд Инжиниринг”, который планирует применение таких термометров в разрабатываемых ими криогенных установках. Сосредоточение используемых в проекте компетенций в одном из самых сильных в областях физики и технологии вузов России, МФТИ, позволит привлечь и удержать в фундаментальной и прикладной науке большое количество молодых исследователей, от бакалавров и магистров до аспирантов и молодых кандидатов наук. Опыт, полученный в ходе выполнения проекта, поможет им стать высококвалифицированными специалистами, необходимыми в настоящее время Российской индустрии высоких технологий. Образовательная часть проекта внесёт существенный вклад в национальную программу развития научно-технического потенциала страны.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2023 году
Проект разделен на 4 взаимосвязанных направления. Направление А. Синтез, экспериментальное и теоретическое исследование свойств магнитных материалов с топологическими свойствами и изготовление сверхпроводящих устройств на их основе. Были синтезированы чистые кристаллы антиферромагнитного топологического изолятора (ТИ) MnBi2Te4 и получены монокристаллы магнитных ТИ более сложного состава GexMn1−xBi2Te4 и Mn(BiySb1 − y)2Te4. Рост кристаллов GexMn1−xBi2Te4 осуществлялся из расплава стехиометрического состава GexMn1−xBi2Te4, где параметр x соответствует целевому составу. Кроме того, в рамках проекта были синтезированы кристаллы EuT2Pn2. Электронная структура полученных кристаллов исследовалась методами фотоэлектронной спектроскопии. Изучались также изоструктурные соединения семейства 122, в частности состав GdRu2Si2, в котором значительный интерес вызывает недавнее открытие квадратной решетки магнитных скирмионов с рекордно малым периодом. Магнитные свойства магнитно-разбавленных ТИ GexMn1−xBi2Te4 исследовались при помощи методов СКВИД-магнитометрии и магнитно-силовой микроскопии. Проведены прецизионные исследования электронной структуры кристаллов GdRu2Si2 с использованием измерений фотоэмиссии с разрешением по импульсу (ARPES) и расчетов из первых принципов, что позволило охарактеризовать особенности поверхности Ферми. В отчетный период отработано изготовление асимметричных сквидов и метод измерения соотношения тока и фазы (СТФ) гибридных джозефсоновских контактов с прослойкой из трехмерного топологического изолятора Bi2Te2Se. Разработана теоретическая модель для измерения СТФ. Проведенные расчёты хорошо описывают эксперимент и закладывают основу для будущих корректных измерений СТФ. Изучался эффект сверхпроводящего диода (ЭСД), который привлекает большое внимание в связи с новыми перспективами его использования в сверхпроводниковой электронике. Возможной реализацией ЭСД может стать сверхпроводящая гибридная структура типа сверхпроводник/ферромагнетик/топологический изолятор (С/Ф/TИ). Были определены параметры, оказывающие решающее влияние на величину добротности ЭСД. Направление В. Cинтез, экспериментальное и теоретическое исследование свойств магнитных сверхпроводников, изготовление сверхпроводящих устройств на их основе. В сотрудничестве с группой проф. И.В. Морозова (МГУ) были синтезированы монокристаллы EuFe2(As1−xPx)2 (x=0.14, 0.17, 0.19) методом раствора в расплаве. В качестве исходных материалов использовалась смесь бинарных пниктидов железа (FeP, FeAs), которые готовились методом отжига в твердой фазе и металлического европия. Образцы были охарактеризованы при помощи электрон-транспортных измерений, а так же методами SEM, EDX, XRF, XPS и ARPES. Было показано, что в данных соединениях электроны разделены как структурно, так и по энергии. Энергетические свойства и свойства основного состояния электронов Eu 4f были исследованы с помощью фотоэмиссионных измерений. Показано, что Eu 4f не вносит вклад в сверхпроводящее поведение. По результатам исследований подготовлена статья в печать. Для исследования электрон-транспортных свойств были изготовлены образцы для измерений транспортных свойств как в геометрии Холловского мостика, так и в четырёхточечной геометрии. Построена теория магнитных свойств в смешанном состоянии и изучена статистика магнитного поля в межтиповых сверхпроводниках. Иследована эволюция магнитного отклика смешанного состояния межтипового (интертипного) сверхпроводника в зависимости от приложенного магнитного поля. Анализ эволюции вихревых конфигураций был сделан в рамках теории возмущений для микроскопической теории сверхпроводимости. Показано, что интертипный режим практически не зависит от микроскопических параметров материала, что дает беспрецедентную возможность систематического изучения деталей всего режима интертипной сверхпроводимости. Изучалась сверхпроводимость при наличии примесей и беспорядка с пространственными корреляциями, в частности статистические свойства сверхпроводящего состояния в зависимости от силы беспорядка и степени его корреляции на дальних расстояниях. Получена зависимость сверхпроводящего перехода от силы беспорядка и степени его корреляции. Расчеты проведены в рамках микроскопической теории сверхпроводимости. Изучался магнитный отклик массивов сверхпроводящих проволок. Проведены расчеты магнитного отклика сверхпроводящих нано-проволок, помещенных в матрицу диэлектрика. Расчеты проведены в рамках теории Гинзбурга-Ландау, дополненной временной зависимостью и уравнениями Максвелла-Ампера для вычисления магнитного поля снаружи образца. Такой подход позволил вычислять временную эволюцию сверхпроводимости и переход к метастабильным состояниям. Направление С. Реализация криогенного генератора сигналов и циркулятора. Генераторы импульсов и циркуляторы, предложенные к разработке в данном проекте, объединяют в себе множество эффектов связанных с сочетанием свойств сверхпроводящих, несверхпроводящих и магнитных материалов. Подбор необходимых материалов для реализации устройств основывался на предварительных расчетах и экспериментах. Расчеты были выполнены в рамках двумерного уравнения Гинзбурга-Ландау. Была развита теория планарных джозефсоновких контактов (ДК), учитывающая площадь перекрытия сверхпроводящего и несверхпроводящего материалов, а также релаксацию тепла в подложку и электроды. Продемонстрирована эффективность использования планарных джозефсоновских контактов для реализации сверхпроводящих устройств типа генератор. После отработки технологии были реализованы планарные джозефсоновские контакты, встроенные в резонатор. Изученные системы продемонстрировали не наблюдавшийся ранее гистерезисный эффект, который может стать основой реализации сверхпроводящего элемента памяти, основанного на бистабильности длинных джозефсоновских контактов (ДК). Управляемое переключение между состоянием перехода без захваченного в него джозефсоновского вихря (ДВ) и его состоянием с одним ДВ достигается путем подачи импульса внешнего магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости планарного ДК. Отработано напыление сверхпроводящих пленок MoRe и изучены их сверхпроводящие свойства. Результаты опубликованы в новом международном журнале Mesoscience and Nanotechnology, основанном в сентябре 2023 года основными исполнителями проекта (https://jmsn.colab.ws/publications/01-01002). В отчетный период был реализован генератор, представляющий собой систему, состоящую из джозефсоновского перехода, микроволнового резонатора, шунтирующей ёмкости и шунтирующего сопротивления. Такой генератор работает при температуре 20 мК на частоте, соответствующей управлению кубитами. Для определения диапазона рабочих параметров такой системы, при которых имеется возможность получения устойчивости генерации, было проведено моделирование, основыванное на численном решении уравнений, описывающих динамику джозефсоновского перехода. Направление D. Реализация термометров работающих в милликельвиновом диапазоне Разработана 3D модель и заказана высоковакуумная камера. Готовится специальное помещение повышенной чистоты класса ISO8. Проведена технологическая работа по изготовлению пленок Циркония. Была подобрана мишень для магнетронного распыления. Мишень установлена в имеющуюся в доступе магнетронную установку. Проведены тестовые напыления пленок, для чего были подобраны параметры напыления. В качестве подложек использовался специально приобретённый сапфир. Проведены низкотемпературные измерения пленок в рефрижераторе растворения замкнутого цикла BlueFors, где в диапазоне от 0,1К до 300К была измерена зависимость сопротивления от температуры. Измерения показали, что пленка по своим характеристикам соответствует табличным данным проводимости. Для дальнейшей работы с пленками был спроектирован дизайн метализации из золота для напыления на пленку циркония через маску резиста, сформированную фотолитографией.

 

Публикации

1. Бабич Я., Кудряшов А., Баранов Д., Столяров В. С. Limitations of the Current–Phase Relation Measurements by an Asymmetric dc-SQUID Nano Letters, Nano Lett. 2023, 23, 14, 6713–6719 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c01970

2. Вагов А., Сарайва Т. Т., Шаненко А. А., Васенко А.С., Агияр Ж. А., Столяров В. С., Родичев Д. Intertype superconductivity in ferromagnetic superconductors Communications Physics, Commun Phys 6, 284 (2023) (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1038/s42005-023-01395-7

3. Еремеев С.В., Глазкова Д., Поечен Г., Крэйке А., Али К., Тарасов А.В., Шульц С., Клиемт К., Чулков Е.В., Столяров В.С., Эрнст А., Крелнер К., Усачев Д.Ю., Вялых Д. В. Insight into the electronic structure of the centrosymmetric skyrmion magnet GdRu2Si2 Nanoscale Advances, Nanoscale Adv., 2023 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1039/d3na00435j

4. Жукова Е., Некрасов Б., Кадыров Л., Шаймарданов А., Шишкин А., Голубов А., Куприянов М., Горшунов Б., Столяров В. Thickness dependent superconductivity in MoRe films studied by terahertz spectroscopy Mesoscience & Nanotechnology, 1, 1, 01002 (год публикации - 2023)

5. Калашников Д., Ружицкий В., Шишкин А., Головчанский И., Куприянов М., Соловьев И., Родичев Д., Столяров В. Demonstration of a Josephson vortex-based memory cell with microwave energy-efficient readout Communications Physics, - (год публикации - 2023)

6. Карабасов Т., Бобкова И. В., Силкин В. М., Львов Б. Г., Голубов А. А., Васенко А. С. Phase diagrams of the diode effect in superconducting heterostructures Physica Scripta, - (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad1376

7. Ружицкий В., Бакурский С., Куприянов М., Кленов Н., Соловьев И., Столяров В., Голубов А. Contribution of Processes in SN Electrodes to the Transport Properties of SN-N-NS Josephson Junctions Nanomaterials, Nanomaterials 2023, 13, 1873. (год публикации - 2023) https://doi.org/10.3390/nano13121873

8. Фролов А.С., Усачев Д.Ю., Тарасов А.В., Федоров А.В., Бокай К.А., Климовских И., Столяров В.С., Сергеев А.И., Лавров А.Н., Голяшов В.А., Терещенко О.Е., Ди Санто Г., Петасия Л., Кларк О.Дж., Санчес -Баррига Ж., Яшина Л.В. Magnetic Dirac semimetal state of (Mn,Ge)Bi2Te4 Communication Physics, - (год публикации - 2023)