КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 22-13-00101

НазваниеХиральные (квази)двумерные экситонные и плазмонные наноструктуры на основе коллоидных атомно-тонких халькогенидов металлов

РуководительВасильев Роман Борисович, Доктор химических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени M.В.Ломоносова», г Москва

Период выполнения при поддержке РНФ 2022 г. - 2024 г. 

Конкурс№68 - Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».

Область знания, основной код классификатора 03 - Химия и науки о материалах, 03-601 - Химия новых неорганических функциональных и наноразмерных материалов

Ключевые слова2D материалы, наноструктуры, полупроводники, коллоидные системы, хиральность, экситоны

Код ГРНТИ31.15.19


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Проект направлен на разработку и создание нового типа хиральных (квази)двумерных полупроводниковых материалов на основе атомно-тонких наноструктур полупроводников группы АIIВVI и халькогенидов меди, сопряженных с диссиметричными органическими лигандами. В проекте будут разработаны подходы к созданию коллоидных атомно-тонкий наноструктур с прецизионно заданной толщиной на уровне единиц монослоев (порядка и менее 1 нм) и протяженными латеральными размерами в сотни нм, отвечающие составу [M(n+1)E(n)L(2)], где M = Cd или Zn, E = S, Se или Te, L – хиральный органический лиганд X-типа в анионной форме, содержащий ассиметричный атом углерода, а n – число монослоев. Этот новый тип атомно-тонких полупроводников по своим свойствам дополняет свойства широко исследуемых в настоящее время двумерных материалов на основе эксфолиированных слоистых соединений (графен, MoS2 и др.), но в отличие от последних имеет ковалентно-модифицированную границу раздела полупроводник/лиганд, что принципиально важно для индуцирования в них хирального состояния за счет связывания с хиральными лигандами, причем в атомно-тонком двумерном полупроводнике эффект от таких лигандов на двух поверхностях наноструктуры становится кумулятивным. Коллоидный рост данных наноструктур на масштабе толщин в один монослой по своим возможностям близок к классическим методам молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), однако в отличие от последней, он позволяет модифицировать границы раздела органическими лигандами. Использование хиральных органических лигандов с асимметричным окружением атома углерода позволит индуцировать хиральное возмущение в полупроводниковом атомно-тонком ядре наноструктуры, которое будет влиять на экситонные (в соединениях АIIВVI) и плазмонные (в халькогенидах меди) возбуждения. Поскольку энергии и вероятности оптических переходов в случае такого возмущения становятся зависящими от спиновой переменной, описанные наноструктуры имеют очевидные перспективы для использования в спин-чувствительных (спинтронных) элементах будущих электронных и оптоэлектронных устройств, что и определяет актуальность проекта. Научная значимость проекта заключается в установлении закономерностей хироптических свойств двумерных полупроводниковых атомно-тонких полупроводников, покрытых органическими лигандами и представляет принципиальное значение для разработки нового класса электронных приборов, сочетающих в себе оптоэлектронные и спинтронные свойства. Фундаментальные исследования – изучение in situ процессов формирования хиральных наноструктур, исследование их оптических и хирооптических свойств комплексом спектроскопических методов вместе с детальной характеризацией их состава, морфологии, размеров, кристаллической структуры набором современных методов диагностики, в том числе с атомным разрешением, дополненные моделированием их электронной структуры и координации лигандов с помощью расчетов из первых принципов – позволят установить корреляции между составом, структурой, состоянием поверхности и хироптическими свойствами наноструктур и позволят найти новые подходы для достижения максимальной вращательной силы экситонных и плазмонных переходов. Новизна проекта состоит в использовании геликоидального поля асимметричного атома углерода хиральных лигандов для направленной модификации свойств экситонной и плазмонной подсистем в двумерных атомно-тонких полупроводниковых наноструктурах. Двумерный конфайнмент ответственен за образование стабильных при комнатной температуре экситонов, а уменьшение толщины полупроводникового ядра до предельно возможной толщины и гибридизация лигандов за счет сильного ковалентного связывания лигандов с базальными поверхностями наноструктуры будет приводити к максимальному эффекту взаимодействия хиральных лигандов и экситонов/плазмонов, что позволяет достичь максимальной диссимметрии наноструктур. Проявление выраженного кругового дихроизма в видимом оптическом диапазоне при комнатной температуре открывает новые возможности для создания хироптических материалов для различных применений. Заметим, что неорганические наноструктуры особенно привлекательны для практических применений из-за повышенной стабильности их оптических и электронных свойств по сравнению со органическими молекулами. Проект представляет собой междисциплинарное фундаментальное исследование на стыке наук: неорганической, физической и коллоидной химии, химии твердого тела, химии и физики полупроводников и материаловедения. Результаты проекта представляют непосредственный интерес для двумерной оптоэлектроники, спинтроники и фотоники.

Ожидаемые результаты
Результаты выполнения проекта позволят развить фундаментальные представления о возможности получения состояний с высокой вращательной силой перехода и достижения спиновой поляризации в двумерных экситонной и плазмонной подсистемах атомно-тонких полупроводниковых наноструктур и взаимосвязи их хироптических свойств и состава/строения/размеров. Конкретные результаты проекта будут включать: - Разработанные подходы к росту в коллоидных системах для достижения формирования атомно-тонких наноструктур с прецизионно заданной толщиной порядка одного нанометра и протяженными латеральными размерами в сотни нанометров, отвечающие составу [M(n+1)E(n)L(2)], где M = Cd, Zn, или Cu, E = S, Se или Te, L – органический лиганд X-типа в анионной форме, n – число монослоев, на основе халькогенидов кадмия, цинка и меди. Механизмы двумерного роста атомно-тонких наноструктур в коллоидных системах на основе анализа методами оптической спектроскопии, в том числе in-situ. Результаты анализа двумерного роста в присутствии лигандов-промоутеров такого роста на основе хиральных органических кислот, содержащих асимметричный атом углерода. - Разработанные подходы к заданию состава сопряженной системы лигандов на поверхности наноструктур с использованием обмена лигандов на базальных плоскостях коллоидных атомно-тонких наноструктур на хиральные органические соединения классов карбоксилатов и тиолатов, содержащих асимметричный атом углерода. - Результаты анализа состава, структуры, морфологии, размеров, состава лигандов на поверхности атомно-тонких наноструктур с помощью методов ПЭМ, ПЭМВР, РЭМ, HAADF-STEM, STEM-EDX, рентгеновской и электронной дифракции, РФлА, ИК-спектроскопии сопоставленные с комплексным изучением оптических свойств набором спектроскопических методов, включая спектроскопию поглощения, спектроскопию люминесценции (в том числе с анализом поляризации), спектры возбуждения люминесценции, температурные зависимости фотолюминесценции . - Результаты анализа хироптических свойств с использованием экспериментальных методом спектроскопии кругового дихроизма дополненных результатами расчета электронной структуры, геометрии наноструктур (с определением координации лигандов), интенсивности оптических переходов из первых принципов. - Разработанные подходы для достижения максимальной вращательной способности оптически активных переходов в двумерных экситонной и плазмонной подсистемах наноструктур. Результаты проекта представляют непосредственный интерес для двумерной оптоэлектроники, спинтроники и фотоники. Возможность контроля спиновой поляризации при поглощении фотона в хиральных экситонных двумерных системах позволяет ожидать совмещения быстродействия оптоэлектроники и манипуляций спином в спинтронике. Все ожидаемые результаты полностью соответствуют мировому уровню, а исследование хироптических свойств предельно-тонких популяций наноструктур AIIBVI являются пионерскими. Результаты исследований планируется опубликовать в ведущих международных научных журналах: Chemistry of Materials (IF 9.811), ACS Nano (IF 15.880), ACS Photonics (IF 7.529), Journal of Luminescence (IF 3.599), Journal of Physical Chemistry C (IF 4.126), ACS Applied Materials and Interfaces (IF 9.229), и российских журналах: Успехи химии, Неорганические материалы, Физика и техника полупроводников, Неорганическая химия. Результаты будут доложены на международных конференциях: E-MRS Meetings, Advanced Laser Technologies, Photonic Colloidal Nanostructures: Synthesis, Properties, and Applications, MetaNano, Фотоника: Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2022 году
Хиральные наноструктуры, демонстрирующие различное поглощение света с правой и левой круговой поляризацией, вызывают быстро растущий интерес в связи с их потенциальными приложениями в различных областях. В ходе выполнения проекта было проведено комплексное исследование индукции хиральности в атомарно тонких (толщиной 0,6 – 1,2 нм) наноструктурах ZnSe и CdSe, выращенных коллоидным методом и покрытых хиральными L-цистеином и N-ацетил-L-цистеином. Были разработаны методики коллоидного синтеза атомарно-тонких наноструктур толщиной менее нанометра: нанолистов CdSe с толщинами 2.5 и 3.5 монослоя (0.6 и 0.9 нм), нанопластинок твердого раствора CdSe1-xSx с толщинами 3.5 монослоя (0.9 нм), нанолистов и нанопластинок ZnSe с толщинами менее и порядка 1 нм, в том числе новой популяции нанолистов ZnSe толщиной 2.5 монослоя (0.6 нм). Основной целью было достижение двумерной морфологии и атомарно-тонкой толщины и контроля толщины с точностью 1 монослой при латеральных размерах от 100 до 500 нм. Атомарно-тонкая толщина принципиальна для достижения максимального размерного квантования экситонов и усиления их взаимодействия с лигандами на базисных плоскостях. Были разработаны методики обмена нативных длинноцепочечных лигандов олеиновой кислоты, олеиламина и октиламина на базальных плоскостях атомарно-тонких наноструктур на хиральные лиганды: традиционный для индуцирования хиральности L-цистеин и малоизученное более стерически объемное производное N-ацетил-L-цистеин. Разработаны методики обмена лигандов с ахиральными карбоксилатами с разной длиной цепи, включающими полный ряд карбоновых кислот С1-С18. Полнота замены лигандов для наноструктур CdSe и ZnSe была тщательно подтверждена методом ИК-Фурье-спектроскопии по полному исчезновению колебаний длинноцепочечных лигандов. Разработанные протоколы обмена нативных длинноцепочечных лигандов на хиральные лиганды на основе цистеина в органических растворителях позволили полностью покрыть базальные плоскости наноструктур хиральными лигандами с сохранением морфологии и кристаллической структуры. Проведен детальный анализ состава, структуры, морфологии, размеров полученных наноструктур набором взаимодополняющих методов ПЭМ, ПЭМВР, РЭМ, HAADF-STEM, STEM-EDX, рентгеновской и электронной дифракции, ИК-спектроскопии. Представлен новый подход к созданию атомарно-тонких наноструктур на основе твердого раствора сульфид-селенид кадмия с разделенными полосами поглощения и люминесценции. Показано, что рост оболочки CdS на наноструктурах твердого раствора CdSе(1-x)Sx методом c-ALD приводит к образованию плоских наноструктур ядро-оболочка CdSe(1-x)Sx/CdS. Рост оболочки сохраняет все особенности поглощения, связанные с наличием доменов, богатых селеном и серой, что подтверждает градиентный состав образующихся наноструктур. Важно отметить, что в отличие от наноструктур ядро-оболочка CdSe/CdS, наноструктуры градиентного твердого раствора ядро-оболочка демонстрируют хорошо разделенные полосы поглощения и люминесценции, что связано с проявлением экситонного эффекта антенны, обусловленный переносом энергии между доменами, что приводит к стоксову сдвигу на порядок больше, чем у наноструктур без градиента. Установлено, что длиной волны излучения градиентных наноструктур ядро/оболочка CdSe(1-x)Sx/CdS можно точно регулировать в спектральном диапазоне 500‒600 нм за счет изменения состава ядра и толщины оболочки. Координация лигандов на базальных плоскостях (001) структуры цинковой обманки CdSe и (0001) структуры вюрцита ZnSe наноструктур подробно проанализирована методом FTIR. Установлено, что для наноструктур CdSe толщиной 2.5 монослоя, покрытых L-цистеином, наблюдается преимущественно монодентатная координация лиганда с участием сульфгидрильной группы, а для более толстых 3.5 монослойных наноструктур CdSe наблюдается координация цистеина с участием всех функциональных групп молекулы цистеина. Для наноструктур CdSe всех толщин, покрытых N-ацетил-L-цистеином, все функциональные группы молекулы цистеина координированы к базальным граням, реализуя различные типы конфигурации - от моно- до вероятно трех-дентантной. Для наноструктур ZnSe связывание осуществляется через сульфгидрильные и аминогруппы, реализуя моно- или би-дентатную координацию. Анализ оптических и хироптических свойств комплексом оптических методов спектроскопии поглощения, люминесценции, возбуждения люминесценции и кругового дихроизма для наноструктур халькогенидов кадмия и цинка с различной толщиной и составом лигандов на базальных плоскостях. Наблюдались узкие экситонные переходы с участием тяжелой дырки HH, легкой дырки LH и спин-орбитальной дырки SO соответственно в спектрах поглощения, дополненные в спектрах фотолюминесценции ярко выраженной полосой экситонной люминесценции. Обмен нативных длинноцепочечных лигандов на хиральные лиганды приводил к батохромному сдвигу и уширению экситонных полос, что обусловлено присоединением тиолатной группы лигандов к базальным плоскостям и эффективному увеличению толщины наноструктур, что понижает энергию экситона. Типичные спектры кругового дихроизма атомарно-тонких наноструктур, покрытых хиральными лигандами N-ацетил-L-цистеином и L-цистеином, показывают выраженные знакопеременные полосы кругового дихроизма, коррелирующие с положением экситонных переходов, что подтверждает влияние хирального лиганда на индуцированное предпочтение поглощения света с правой или левой круговой поляризацией. Коэффициент диссимметрии для лиганда N-ацетил-L-цистеина превышает значение для L-цистеина, что можно объяснить более эффективным связыванием и благоприятной координацией с участием всех трех функциональных групп N-ацетил-L-цистеина по сравнению с монодентатной координацией L-цистеина, установленных методом FTIR. Для предельно тонких наноструктур был найден максимальный фактор диссимметрии, что согласуется с максимальной гибридизацией диссимметричного центра лиганда и экситонной системы нанопластинок для минимально возможной толщины. Замена лиганда N-ацетил-L-цистеина на L-цистеин приводит к инверсии спектров кругового дихроизма, что указывает на переориентацию молекулярных диполей хромофора лиганда и экситонных переходов в ядре наноструктуры, что согласуется с результатами анализа координации лигандов методом FTIR. Для более глубокого понимания физики и механизмов явлений, происходящих при адсорбции различных лигандов на поверхности полупроводника, систематически исследованы модельные структуры, состоящие из нанопластинок CdSe, покрытых с двух сторон различными моноатомными и двухатомными лигандами (янусовы нанопластинки). Установлено существование трех различных микроскопических механизмов, ответственных за спонтанную деформацию янусовых нанопластинок: двух объемных механизмов и одного поверхностного. Характер смещений атомов в зажатых на квадратной поверхности янусовых нанопластинок указывает на существование однородного вертикального электрического поля и затухающих в объеме полупроводниковой структуры деформационных полей. Установлено, что деформация янусовых нанопластинок мостиковыми связями вызывает не только их спонтанную деформацию в плоскости, но может приводить и к их скручиванию, создавая, в зависимости от ориентации нанопластинки и величин поверхностных напряжений, структуры типа рулонов, спиралей или перевитых лент. В матричных элементах оптических переходов в точке Г между уровнями размерного квантования тяжелых дырок и зоны проводимости хиральных нанопластинок при распространении света перпендикулярно плоскости нанопластинки обнаружена явная асимметрия, которая может свидетельствовать об их оптической активности. Полученные результаты открывают новые стратегии синтеза хиральных двумерных наноструктур и атомарно-тонких полупроводников с прецизионных контролем толщины, а также будут интересны для оптимизации и понимания индукции кругового дихроизма в наноструктурах для различных приложений.

 

Публикации

1. Саиджонов Б.М., Беркчиян М.В., Васильев Р.Б. Gradient alloy CdSe1-xSx/CdS core-shell nanoplatelets with tunable and large Stokes-shifted emission Journal of Luminescence, том 252, номер 119395 (год публикации - 2022) https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.119395


Аннотация результатов, полученных в 2023 году
Этап выполнения проекта в текущем году направлен на создание хиральных наноструктур на основе атомарно-тонких наноструктур халькогенидов кадмия и цинка, демонстрирующих различное поглощение света с правой и левой круговой поляризацией. В ходе выполнения проекта разработаны и оптимизированы методики роста атомарно-тонких (толщиной 0,6 – 0.9 нм) наноструктур на основе селенида и теллурида кадмия и селенида цинка состава [M(n+1)E(n)L(2)] в коллоидных системах, разработаны и оптимизированы методики обмена хиральных лигандов на основе набора энантиомеров хиральных тиолатных соединений и хиральных аминокислот. Проведен детальный анализ состава, структуры, морфологии, размеров полученных наноструктур набором взаимодополняющих методов ПЭМ, ПЭМВР, РЭМ, HAADF-STEM, STEM-EDX, рентгеновской и электронной дифракции, ИК-спектроскопии. Структура синтезированных наноструктур включает положительно (отрицательно) заряженный неорганический блок (ядро) и заряд-компенсирующий отрицательно (положительно) заряженный блок лигандов на каждой из базальных полярных плоскостей ядра в ориентации (001) для структуры цинковой обманки или ориентации (11-21) для структуры вюрцита. Протоколы обмена длинно-цепочечных нативных лигандов на базальных плоскостях наноструктур включали замену нативного лиганда олеиновой кислоты (для наноструктур халькогенидов кадмия) или длинноцепочечных аминов (для наноструктур селенида цинка) на хиральный тиолат или карбоксилат в среде апротонных растворителей. Проведено комплексное исследование оптических свойств методоми спектроскопии поглощения, люминесценции, возбуждения люминесценции для наноструктур халькогенидов кадмия и цинка с различной толщиной, латеральными размерами и составом карбоксилатных и тиолатных лигандов. Изучены хироптические свойства методом спектроскопии кругового дихроизма (спектральное положение полос кругового дихроизма, величина и знак фактора диссиметрии, рассчитанного из спектров кругового дихроизма) и удельной оптической активности. Изучено влияние растворителя на спектры кругового дихроизма, конкретно диэлектрической проницаемости для серии растворителей метанол, диметилсульфоксид, диметилформамид, метилформамид. Рассчитаны величины фактора диссиметрии для наноструктур с различными хиральными лигандами. Впервые проведены измерения магнитного кругового дихроизма для атомарно-тонких наноструктур селенида кадмия с хиральными тиолатными лигандами как для дисперсий, так и для тонких пленок. Экспериментальные результаты дополнены расчетами из первых принципов геометрии и координации лигандов, а также изменений в электронной структуре наноструктур халькогенидов кадмия с карбоксилатными хиральными лигандами. Установлено, что в оптических спектрах всех наноструктур присутствуют узкие (ширина порядка 10 нм) экситонные переходы с главным квантовым числом единица с участием тяжелой дырки HH, легкой дырки LH и спин-орбитальной дырки SO, характерных для структурных типов как цинковой обманки, так и вюрцита. Установлены спектральные положения в зависимости от толщины наноструктур и их состава. Для всех исследованных наноструктур присоединение тиолатной группы приводило к батохромному спектральному сдвигу, что является проявлением увеличения толщины наноструктур в результате присоединения двух атомных плоскостей серы из тиолатной группы к базальным катионным плоскостям, увеличивающих толщину наноструктур ровно на один монослой. Продемонстрировано, что полярные базальные плоскости наноструктур на основе селенида цинка могут быть модифицированы путем обмена лигандов в полярных органических растворителях, что позволяет изменять состав наноструктур. Например, взаимодействие с ZnCl2 приводит к формированию наноструктур состава [Zn4Se3Cl2], формально соответствующего прецизионному увеличению толщины на 2 атомных плоскости цинка, и приводит к сдвигу экситонных полос поглощения и люминесценции в длинноволновую область. Анализ хироптических свойств хиральных наноструктур продемонстрировал знакочередующиеся переходы в спектрах кругового дихроизма, однозначно коррелирующие с экситонными переходами HH, LH и SO в спектрах поглощения, и меняющие зеркально знак при изменении L-энантиомера на D-энантиомер. Впервые установлено, что на величину фактора диссиметрии двумерных хиральных наноструктур оказывает влияние диэлектрическая проницаемость растворителя. При уменьшении диэлектрической проницаемости от 170 до 20 (переход от метилформамида к метанолу) фактор диссиметрии возрастает на порядок и достигает 0.02, что является рекордным значением для хиральных полупроводниковых наночастиц соединений А2В6. Для объяснения наблюдающихся полос кругового дихроизма предложена модель, базирующаяся на геликоидальном искажении кристаллической решетки в двумерных наноструктурах. Для наноструктур [Cd3Se2(L-Cys)2] показано геликоидальное искажение внешних тетраэдров CdSe2S2, сформированных при присоединении плоскости атомов серы тиолатной группы лиганда, отвечающее деформации поворота, по сравнении с центральными тетраэдрами CdSe4. Такая деформация будет приводить к движению носителя заряда в геликоидальном потенциале, его спиновой поляризации и возникновению псевдомагнитного поля. Предложена схема расщепления уровней HH, LH и SO в результате спиновой поляризации, соответствующего наблюдаемому в эксперименте знакочередующемуся поведению спектра кругового дихроизма. Правило отбора при этом соответствует сохранению спина поглощающегося правого или левого фотона при спиновой поляризации экситона и определяет разрешенные переходы. Предложенная модель подтверждена измерением магнитного кругового дихроизма, продемонстрировавшего величину внутреннего псевдомагнитного поля порядка 2 Тл. Полученные результаты открывают новые возможности для синтеза хиральных атомарно-тонких наноструктур с прецизионных контролем толщины. Демонстрация спин-поляризованных экситонов открывают новые фундаментальные свойства и будут интересна для приложений в фотонике и оптоэлектронике.

 

Публикации

1. Куртина Д.А., Графова В.П., Васильева И.С., Максимов С.В., Зайцев В.Б., Васильев Р.Б. Induction of Chirality in Atomically Thin ZnSe and CdSe Nanoplatelets: Strengthening of Circular Dichroism via Different Coordination of Cysteine-Based Ligands on an Ultimate Thin Semiconductor Core Materials, Materials 2023, 16, 1073 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.3390/ma16031073

2. Лебедев А.И. Spontaneous Strain in Quasi-Two-Dimensional Janus CdSe Nanoplatelets and Its Microscopic Mechanisms J. Phys. Chem. C, J. Phys. Chem. C 2023, 127, 20, 9911–9917 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c01934

3. Васильев Р.Б., Чижов А.С., Румянцева М.Н. Colloidal Nanoparticles of II-VI Semiconductor Compounds and Their Participation in Photosensitization of Metal Oxides Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors, Springer, Cham, Switzerland, Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors Volume 1, Materials and Technology, Chapter 7, pp.157-179 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1007/978-3-031-19531-0