Аннотация результатов, полученных в 2020 году
За первый год реализации проекта были получены следующие научные результаты: Исследованы условия формирования эмиссионной плазмы в плазменном эмиттере электронов на основе дугового разряда низкого давления в амплитудно-широтно-модулированном режиме при использовании регулировки тока пучка путем изменения тока разряда и, соответственно концентрации катодной эмиссионной плазмы в течение импульса тока субмиллисекундной длительности (сняты ВАХ разряда, основных токов электродной системы (ток полого анода, ток эмиссионного электрода, ток катода) и концентрации эмиссионной плазмы в зависимости от различных условий генерации электронного пучка: давления газа (10–65 мПа), формы тока основного дугового разряда при изменении амплитуды более чем на порядок – увеличение с 15 А до 200 А, уменьшение с 200 А до 15 А на разной длительности импульса тока пучка (от 100 мкс до 1000 мкс). Продемонстрировано, что для динамического управления мощностью электронного пучка в течение импульса субмиллисекундной длительности источник электропитания разряда должен быть размещен на высоковольтной (до 30 кВ) стороне (под потенциалом плазменного катода), что позволяет обеспечить минимальную выходную индуктивность на выходе источника питания разряда, а, следовательно, позволяет осуществлять наиболее быстрое изменение тока дугового разряда (с ≈5 А/мкс до ≈30 А/мкс) и, соответственно, тока пучка в этом же динамическом диапазоне. Использование системы электропитания плазменного катода, имеющей существенно меньшую выходную индуктивность (в ≈ 6 раз), позволило продемонстрировать, что в режимах, когда ток в ускоряющем промежутке Ig существенно (кратно) превышает ток дугового разряда Id, при завершении импульса тока Id ток Ig начинает экспоненциально спадать со значения (Ig - Id) до нуля. Это позволило получить косвенное подтверждение того, что в таких случаях коэффициент извлечения электронов из плазменного катода может быть близок к 100 %, а экспоненциальный спад тока Ig может объясняться скоростью релаксации анодной/пучковой плазмы. Используя новую систему электропитания и управления, позволяющую подавать «пачку» импульсов тока разряда (в количестве более 100 шт.), увеличивая при этом длительность паузы между импульсами и используя поджигающий импульс только для первого импульса, было продемонстрировано, что в диапазоне токов разряда (100–200) А для стабильного зажигания (с вероятностью близкой к 100%) каждого последующего импульса в «пачке» длительность паузы между импульсами тока разряда не должна превышать (80–150) мкс, соответственно. Наличие ускоряющего напряжения позволяет увеличить время паузы на несколько десятков мкс (в зависимости от условий генерации пучка – давления газа, ведущего магнитного поля, ускоряющего напряжения, амплитуды тока разряда и др.). Дальнейшее увеличение паузы между импульсами тока дугового разряда приводит к задержке зажигания разряда из-за релаксации плазмы. Проведенные зондовые исследования позволили установить, что вне зависимости от формы тока дугового разряда (растущая, падающая, постоянная) концентрация эмиссионной плазмы повышается с ростом давления рабочего газа, величины магнитного поля и амплитуды тока разряда Id. Повышение тока дугового разряда приводит к повышению его напряжения горения (растущая ВАХ). При повышении давления напряжение горения уменьшается за счет повышения концентрации плазмы и, соответственно, ее проводимости. Проведены исследования временно́й и пространственной неоднородности электронного пучка при использовании регулировки тока пучка путем изменения концентрации плазмы дугового разряда в течение импульса субмиллисекундной длительности, генерируемого в амплитудно- широтно- модулированном режиме, используя калориметрические измерения и измерения с помощью рентгеновской диагностики (в зависимости от различных условий генерации электронного пучка: давления газа (10–65 мПа), величины ведущего магнитного поля (300–1000 Гс), формы импульсов тока основного разряда). Используя несколько методик, а именно: осциллографирование, зондовый метод, калориметрические измерения, а также рентгеновскую диагностику, которые продемонстрировали удовлетворительное совпадение полученных результатов, было показано, что в первые 50 мкс импульса тока пучка (при общем токе пучка ≳ 100 мкс) имеется компрессия плотности тока и энергии пучка, что связано с перестроением тока разряда внутри плазменного катода, а также с наработкой пучковой/анодной плазмы. На оси пучка скорость изменения этих процессов определяется величиной ведущего магнитного поля, давлением рабочего газа, величиной ускоряющего напряжения, а также амплитудой тока разряда. При переходе к субмиллисекундным длительностям импульса тока пучка, описанное явление компрессии плотности тока эмиссии и плотности энергии пучка нивелируется, но радиальное распределение плотности энергии в плоскости мишени сохраняет форму близкую к функции Гаусса. Продемонстрировано, что возможны режимы генерации, когда удельная энергия импульса тока пучка, состоящего из 2-х ступеней тока разной амплитуды и длительности (вне зависимости от их следования), равна сумме плотностей энергии отдельных ступеней. Получены режимы генерации электронного пучка, мощность которого может контролируемо изменяться в диапазоне (0,4÷4) МВт в течение импульса тока пучка субмиллисекундной длительности при ускоряющих напряжениях (5–25) кВ. Показано, что используя такой сравнительно простой и эффективный способ модуляции тока электронного пучка, можно динамически изменять мощность субмиллисекундного пучка с малой инерционностью управления, ограниченной на уровне не более 0,5 MW/µs. Максимальная мощность пучка для данной системы была ограничена на уровне ≈10 MW имеющейся системой электропитания плазменного катода. При этом мощность пучка может быть не только монотонно или ступенчато падающей, но и постоянной или даже монотонно или ступенчато растущей. Методами математического моделирования проведены расчеты температурного поля, формирующегося в силумине марки АК18 при облучении интенсивным импульсным электронным пучком (при плотности энергии электронного пучка от 10 до 50 Дж/см2 и длительности импульса тока пучка от 50 до 500 мкс), на основе которых был осуществлен выбор режимов облучения и способов управляемого изменения температуры поверхности облучаемой мишени: с удержанием температуры поверхности образца выше температуры плавления силумина (около 1000°С) и с удержанием температуры близкой к температуре плавления силумина ⪅600°С. Показано, что удержание постоянной температуры возможно как за счет амплитудной, так и за счет частотно- или широтно- импульсной модуляции электронного пучка, что расширяет технологические возможности электронно-пучковой модификации поверхности. Выполнен анализ прочностных (микротвердость) и трибологических (износостойкость, коэффициент трения) свойств поверхностного слоя силумина, обработанного электронным пучком с регулируемой плотностью мощности. Показано, что твердость образца, облученного в режиме 20 Дж/см2, 200 мкс и с временем удержания температуры на уровне 600 ℃ в течение 800 мкс превышает микротвердость исходного образца в 2,2 раза, а скорость износа снизилась в 3,7 раз. Показано, что высокоскоростное плавление поверхностного слоя заэвтектического силумина сопровождается изменением параметра кристаллической решетки твердого раствора на основе алюминия. После облучения в течение первых 200 мкс параметр решетки алюминия возрастает, что, возможно, связано с внедрением в решетку алюминия атомов кремния и атомов примесных и легирующих элементов, атомный радиус которых больше атомного радиуса алюминия. Увеличение времени удержания температуры ведет к снижению параметра кристаллической решетки алюминия, что связано, вероятно, с распадом твердого раствора. После облучения заэвтектического силумина электронным пучком в режиме (20 Дж/см2, 200 мкс) содержание кремния, выявленное методами рентгенофазового анализа, снижается с 19% до 14 %, а затем с увеличением времени удержания температуры на уровне 600℃ постепенно возрастает, возвращаясь к исходному значению. Методами дифракционной электронной микроскопии проведены исследования дефектной субструктуры, элементного и фазового состава, морфологии упрочняющих фаз модифицированного слоя образца заэвтектического силумина, облученного в режиме (20 Дж/см2, 200 мкс, время удержания температуры 800 мкс), поскольку он обладает наилучшими прочностными и трибологическими свойствами. Показано, что в модифицированном слое формируется структура высокоскоростной ячеистой кристаллизации. Ячейки разделены прослойками эвтектики алюминий-кремний пластинчатой морфологии. В результате проведенного микрорентгеноспектрального анализа установлено, что в слое образца толщиной не менее 60 мкм, прилегающем к поверхности облучения, формируется структура высокоскоростной ячеистой кристаллизации. При большем удалении от поверхности облучения в структуре образца выявляются включения кремния, характерные для литого состояния исследуемого силумина. Методами микрорентгеноспектрального анализа (метод картирования) установлено, что объем ячеек кристаллизации обогащен атомами алюминия. Ячейки кристаллизации разделены прослойками, имеющими пластинчатую структуру. Данные прослойки обогащены преимущественно атомами кремния и алюминия и представляют собой эвтектику Al-Si пластинчатого типа. Наряду с атомами кремния и алюминия в исследуемом материале обнаружены атомы железа, меди и кислорода, относительное суммарное содержание которых составляет (1 – 2) вес. %. Средний размер ячеек алюминия увеличивается от 0,5 мкм до 2,9 мкм по мере удаления от поверхности облучения образца. Одновременно с этим увеличиваются и поперечные размеры прослоек, разделяющих ячейки от 120 нм до 700 нм. На основании микрорентгеноспектрального анализа выявлены зависимости содержания каждого из присутствующих элементов в зависимости от расстояния от поверхности образца. Содержание железа и меди в образцах заэвтектического силумина изменяется в пределах (0-0,1) % и (0,6 – 0,7) % соответственно. Содержание кремния же с увеличением глубины резко снижается и на уровне от 20 до 60 мкм колеблется между 8% и 10%. На глубине 85 мкм содержание кремния в образце достигает значений, близких к структуре исходного (литого) состояния. Несмотря на то, что в связи с высокой степенью шероховатости облученных образцов не удалось измерить модуль Юнга, при трибологических испытаниях было установлено, что облучение заэвтектического силумина при 20 Дж/см2 в течение 200 мкс с дополнительной выдержкой температуры около температуры плавления в течение 800 мкс приводит к увеличению износостойкости материала в 2,2 раза, а также к снижению скорости износа в 3,7 раз по сравнению с необлученным образцом. Основываясь на результатах исследований структурно-фазового состояния силумина, выполненных методами просвечивающей электронной дифракционной микроскопии, можно заключить, что выявленное увеличение износостойкости образцов обусловлено формированием ячеистой структуры и измельчением крупных включений кремния и интерметаллидов, что не наблюдалось при традиционных режимах электронно-пучковой модификации поверхности. За первый год реализации проекта подготовлено и направлено в печать рецензируемых российских и зарубежных научных изданий, индексируемых в системах “WoS”, “SCOPUS” и РИНЦ, 7 статей, одна из которых входит во второй квартиль, и сделано 10 докладов на конференциях различного уровня.

Аннотация результатов, полученных в 2021 году
За второй год реализации проекта были получены следующие результаты: 1. Спроектирована конструкция плазменного эмиттера и проведена модернизация имеющегося источника электронов для реализации сеточного режима управления током пучка в амплитудно- и широтно- модулированном режимах за счет контролируемого изменения протяженности ионного слоя на эмиссионном электроде в течение импульса субмиллисекундной длительности; 2. Разработано техническое задание на изготовление источника электропитания разряда плазменного катода, обеспечивающего возможность амплитудной и широтной модуляции напряжения в течение импульса до 1 мс (для реализации п.1); 3. Исследованы механизмы генерации электронного пучка при регулировке тока пучка путем изменения протяженности ионного слоя на эмиссионном электроде в течение импульса субмиллисекундной длительности (снятие ВАХ дугового разряда, основных токов электродной системы в зависимости от условий генерации электронного пучка: давления газа (15–60 мПа), величины ведущего магнитного поля (300–1000 Гс), формы импульса потенциала смещения на эмиссионный электрод); 4. Определены условия уменьшения фронта тока пучка с возможностью его генерации в модулированном режиме путем изменения протяженности ионного слоя, а также проведен поиск минимально возможной длительности импульса тока пучка в такой электродной системе (согласно модернизации п. 1) при достижении плотности энергии пучка ≈ 10 Дж/см2 при длительности импульса около 30 мкс на полувысоте. Показано, что фронт тока пучка уменьшается с увеличением давления аргона от 20 до 70 мПа наблюдается уменьшение скорости роста управляющего напряжения с 22 В/мкс до примерно 8 В/мкс, однако скорость роста токов в ускоряющем промежутке и на эмиссионный электрод в этом случае находилась в пределах (6-9) А/мкс, не существенно уменьшаясь при увеличении транспортирующего магнитного поля. 5. Для источника электронов, созданного при выполнении п.1, получены режимы генерации электронного пучка, мощность которого может контролируемо изменяться в диапазоне (0,4÷2,5) МВт в течение импульса тока пучка длительностью до 100 мкс в модулированном режиме путем изменения протяженности ионного слоя при ускоряющих напряжениях (5–25) кВ. Ограничивающим фактором максимальной мощности в ускоряющем промежутке является уменьшение коэффициента переключения тока разряда на эмиссионный электрод с увеличением тока разряда, а также электрические пробои на фронте и срезе генерируемых импульсов в режимах с увеличенным током на этих участках. 6. Проведены исследования радиальной неоднородности электронного пучка в плоскости мишени, генерируемого в амплитудно- широтно- модулированном режиме путем изменения протяженности ионного слоя на эмиссионном электроде как при субмиллисекундной длительности пучка, так и при переходе к длительностям импульса пучка до 100 мкс, используя калориметрические измерения и измерения с помощью рентгеновской диагностики (в зависимости от различных условий генерации электронного пучка: давления газа (15–60 мПа), величины ведущего магнитного поля (300–1000 Гс), формы импульса потенциала смещения на эмиссионный электрод). Показано, что профиль плотности энергии пучка на мишени зависит от условий генерации таким образом, что при увеличении давления рабочего газа, амплитуды тока в ускоряющем промежутке и величины ведущего магнитного поля проявляется пикирование плотности энергии пучка к оси системы источника электронов. 7. Проведены исследования по подбору режимов и способов управляемого изменения температуры поверхности облучаемой мишени (вольфрам в качестве мишени), используя сеточное управление током пучка как при субмиллисекундной длительности пучка, так и при переходе к длительностям импульса тока пучка до 100 мкс. Определены предельные режимы генерации модулированного электронного пучка в таком режиме; 8. Проведено напыление пленки ниобия толщиной ≈3 мкм на поверхность образцов стали марки 40Х электродуговым способом (сформирована система «пленка (Nb) / (40Х) подложка»); 9. Методами математического моделирования проведены расчеты температурного поля, формирующегося в системе «пленка (Nb) / (40Х) подложка» при легировании поверхности системы интенсивным импульсным электронным пучком (при плотности энергии электронного пучка от 10 до 50 Дж/см2 и длительности импульса тока пучка от 50 до 500 мкс). Осуществлен выбор режимов облучения, позволяющих проводить модифицирование системы «пленка (Nb) / (40Х) подложка» в предплавильном режиме для ниобия и режиме плавления для поверхностного слоя стали 40Х; 10. Проведено легирование поверхности образов, подготовленных в п. 8, электронным пучком, используя режимы облучения, выбранные на основании результатов математического моделирования и расчета температурного поля. Режимы облучения были выбраны таким образом, чтобы поверхностный слой был прогрет выше температуры плавления стали (1450-1550℃), но при этом не достигал температуры плавления ниобия (2500℃), то есть находился на уровне около 2000℃. Исходя из этого были выбраны следующие режимы: прямоугольные импульсы тока длительностью 50 мкс и 100 мкс, импульсы с изменяющимся током пучка, при которых достигается температура поверхности 2000℃ и происходит ее поддержание в течение 150 мкс (общая длительность импульса 300 мкс) и 350 мкс (суммарная длительность импульса 500 мкс). 11. Выполнены механические (измерение микротвёрдости) и трибологические (определение износостойкости и коэффициента трения) испытания образцов, облученных электронным пучком; 12. Экспериментально выявлены оптимальные режимы облучения образцов, подготовленных в п. 8, в модулированных режимах, позволяющие формировать поверхностный слой образца, обладающий сравнительно высокими износостойкостью и твердостью. Выявлено, что после облучения в каждом из четырех режимов значение микротвердости находится в диапазоне 800-900 кг/мм2, что превышает микротвердость исходного образца (500 кг/мм2) в 1.6 – 1.8 раз. После облучения снижается скорость износа – в режимах облучения с длительностью 50 мкс и 100 мкс в 30-35 раз, при удержании температуры около 2000 ℃ в 45-60 раз. 13. Методами рентгеноструктурного анализа, оптической, сканирующей и просвечивающей дифракционной электронной микроскопии осуществлены исследования элементного и фазового состава, состояния дефектной субструктуры образцов, подготовленных в п. 8, и облученных электронным пучком в выявленном оптимальном режиме (в режиме, позволяющем формировать поверхностный слой, обладающий относительно высокими значениями твердости и износостойкости); 14. Выявлены закономерности эволюции дефектной субструктуры, фазового и элементного состава, механических (твердость) и трибологических (износостойкость и коэффициент трения) свойств образцов, подготовленных в п. 8 и подвергнутых электронно-пучковой обработке. Выявлено, что по мере увеличения длительности воздействия электронным пучком на поверхность происходит залечивание микропор до практически полного их исчезновения при максимальной длительности облучения. Также выявлено, что с увеличением длительности прогрева поверхностного слоя уменьшается концентрация ниобия на поверхности с 97.7 at.% до 0.65 at.%, что может быть связано как с погружением ниобия в сталь, так и с растворением ниобия в поверхностном слое стали. 15. За первый и второй год реализации проекта опубликовано в рецензируемых российских и зарубежных научных изданиях 8 статей, индексируемых в системах “WoS” и “SCOPUS” и 13 статей в РИНЦ, 7 статей, одна из которых входит в первый квартиль, и сделано 10 докладов на конференциях различного уровня. Информация приведена без учета статей, направленных в журналы, но еще не опубликованных.

Аннотация результатов, полученных в 2022 году
1. Спроектирована конструкция плазменного эмиттера и проведена модернизация имеющегося источника электронов для реализации комбинированного режима управления током пучка в течение импульса субмиллисекундной длительности в амплитудно- и широтно- модулированном режимах за счет контролируемого изменения концентрации эмиссионной плазмы и протяженности ионного слоя на эмиссионном электроде, имеющего увеличенную площадь эмиссии (диаметр эмиссионной сетки увеличен до 85 мм) с катодным узлом, обеспечивающего генерацию дугового разряда низкого давления при амплитуде и длительности импульса тока разряда до 500 А и до 1 мс, соответственно. 2. Реализовано увеличение сечение генерируемого модулированного электронного пучка с ≈3 см2 до ≈12 см2, т.е. в 4 раза, имеющего, однако, высокую степень неоднородности плотности тока (выше 50%). 3. Исследованы механизмы генерации электронного пучка при одновременной регулировке тока пучка как путем изменения концентрации эмиссионной плазмы, так и путем изменения протяженности ионного слоя на эмиссионном электроде, диапазон регулировки мощности пучка расширен на более чем два порядка в течение импульса субмиллисекундной длительности (с 6 до 1100 кВт.). 4. Проведены исследования радиальной неоднородности электронного пучка в плоскости мишени, генерируемого в амплитудно- широтно- модулированном режиме при одновременной регулировке тока пучка за счет изменения концентрации эмиссионной плазмы и протяженности ионного слоя на эмиссионном электроде в течение импульса субмиллисекундной длительности, используя калориметрические измерения в зависимости от условий генерации электронного пучка: давления газа (20–50 мПа), величины ведущего магнитного поля (300–1000 Гс), формы импульсов тока дугового разряда и потенциала смещения на эмиссионный электрод. Показано, что при генерации модулированного электронного пучка в указанном диапазоне давлений и умеренной величине магнитного поля неоднородности плотности энергии пучка на мишени имеют схожую формы и высокую неоднородность (более 50%). При превышении магнитного поля более 60 мТл удается снизить степень неоднородности пучка на мишени, однако управляемость тока в ускоряющем промежутке и его прогнозирование существенно затрудняются. 5. Разработан алгоритм, позволяющий реализовывать заданную функцию изменения температуры поверхности образца в следующей последовательности: «задание функции температуры – определение требуемой функции мощности электронного пучка – задание начальных условий генерации – определение требуемой функции изменения тока пучка и тока разряда – преобразование сигнала тока разряда в амплитудно-широтно-модулированный режим». Эксперимент показал удовлетворительное совпадение между ожидаемым и реальным графиками температуры в течение импульса генерации пучка. 6. Проведено напыление пленки титана толщиной 5 мкм и пленки алюминия толщиной 5 мкм на поверхность образцов стали 12Х18Н10Т электродуговым способом (сформирована система «пленка (Ti) / пленка (Al) / (12Х18Н10Т) подложка»). 7. Методами математического моделирования проведены расчеты температурного поля, формирующегося в системе «пленка (Ti) / пленка (Al) / (12Х18Н10Т) подложка» при легировании поверхности системы интенсивным импульсным электронным пучком (при плотности энергии электронного пучка от 10 до 50 Дж/см2 и длительности импульса тока пучка от 50 до 500 мкс). Осуществлен выбор режимов облучения, позволяющих проводить модифицирование системы «пленка (Ti) / пленка (Al) / (12Х18Н10Т) подложка» в режиме плавления для пленки алюминия. 8. Проведено легирование поверхности образов, подготовленных в п. 6, электронным пучком, используя режимы облучения, выбранные на основании результатов математического моделирования и расчета температурного поля. Режимы облучения были выбраны таким образом, чтобы поверхностный слой был прогрет выше температуры плавления алюминия (>650℃), но при этом не достигал температуры плавления стали и титана (<1500℃), то есть находился на уровне около 1000℃. 9. Выполнены механические (измерение микротвёрдости) и трибологические (определение износостойкости и коэффициента трения) испытания образцов, облученных электронным пучком. 10. Экспериментально выявлены оптимальные режимы облучения образцов, подготовленных ранее, в модулированных режимах, позволяющие формировать поверхностный слой образца, обладающий сравнительно высокими износостойкостью и твердостью. Показано, что микротвердость поверхности у одного из образцов, облученных модулированным электронным пучком, может превышать микротвердость исходного образца более чем на 22%, а скорость износа снижается ≈ в 1300 раз при незначительном изменении коэффициента трения. Основываясь на результатах исследований структурно-фазового состояния модифицированной стали, выполненных методами просвечивающей электронной дифракционной микроскопии, можно заключить, что повышение механических (микротвердость) и трибологических (параметр износа) свойств системы «пленка (алюминий+титан)/(сталь 12Х18Н10Т) подложка» обусловлено формированием субмикро- нанокристаллической многофазной структуры, содержащей включения интерметаллидных фаз типа Al5NiFe, NiTi, Al6Fe, Al13Fe4, CrNiTiFe. 11. Методами рентгеноструктурного анализа, оптической, сканирующей и просвечивающей дифракционной электронной микроскопии осуществлены исследования элементного и фазового состава, состояния дефектной субструктуры образцов системы «пленка (Ti) / пленка (Al) / (12Х18Н10Т) подложка», облученных электронным пучком в выявленном оптимальном режиме (в режиме, позволяющем формировать поверхностный слой, обладающий относительно высокими значениями твердости и износостойкости). Показано, что после обработки образцов в различных режимах на их поверхности присутствуют области, обогащенные алюминием, и области, на которых преобладает титан. Также были реализованы режимы, в которых происходит полное плавление всех структурных элементов и их дальнейшее перемешивание, соответственно, на поверхности присутствуют как элементы покрытия, так и подложки. 12. Методами просвечивающей электронной дифракционной микроскопии установлено, что в поверхностном слое системы «пленка (Ti) / пленка (Al) / (12Х18Н10Т) подложка» в результате облучения модулированным электронным пучком формируется субмикро- нанокристаллическая многофазная структура преимущественно столбчатого (ячеистого) типа. Толщина слоя с субмикро- нанокристаллической структурой достигает 20 мкм. При большем удалении от поверхности облучения выявляется поликристаллическая структура стали, характеризующаяся высокой плотностью дислокаций. Объем ячеек кристаллизации слоя подложки, контактирующего с пленкой, обогащен атомами железа, хрома и никеля. Ячейки разделены прослойками, обогащенными атомами алюминия и титана. Обратная картина наблюдается при анализе распределения элементов в слое покрытия, а именно, объем ячеек кристаллизации обогащен атомами титана и алюминия, прослойки, разделяющие ячейки, обогащены атомами железа, никеля и хрома. 13. За третий год реализации проекта опубликовано 10 статей и полных текстов докладов, 5 из которых индексируются в системах WoS и SCOPUS, 4 индексируются в базе RSCI. Написано и опубликовано 2 патента. Подготовлено и сделано 17 докладов на российских и международных конференциях различного уровня (в т.ч. с выездом в командировки). В итоге за три года реализации проекта опубликовано 27 статей и полных текстов докладов (из заявленных 15 статей), одна из которых имеет квартиль Q1, 18 из которых индексируются в системах WoS и SCOPUS, 8 индексируются в базе RSCI. Написано и опубликовано 3 патента. Подготовлено и сделано 40 докладов на российских и международных конференциях различного уровня (в т.ч. с выездами в командировки).