КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 19-12-00051

НазваниеСпиновые и кулоновские эффекты в оптической спектроскопии полупроводниковых наносистем

РуководительГлазов Михаил Михайлович, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г Санкт-Петербург

Период выполнения при поддержке РНФ 2019 г. - 2021 г.  , продлен на 2022. Карточка проекта продления (ссылка)

Конкурс№35 - Конкурс 2019 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе, 02-202 - Полупроводники

Ключевые словаПолупроводники, наноструктуры, оптическая спектроскопия, спиновые явления, кулоновское взаимодействие, спин-орбитальное взаимодействие, сверхтонкое взаимодействие

Код ГРНТИ29.19.22


СтатусУспешно завершен


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Проект нацелен на теоретические исследования оптических явлений в полупроводниковых наносистемах, обусловленных наличием спиновых и долинных степеней свободы носителей заряда и кулоновских комплексов: экситонов и трионов, а также развитие методов теоретического описания таких систем, поиск и изучение новых явлений, связанных со спиновыми степенями свободы и кулоновским взаимодействием. Наличие у электронов и дырок внутренних степеней свободы, обусловленных магнитным моментом – спином, а также присутствием эквивалентных долин в зоне Бриллюэна многодолинных полупроводников, открыло широкие перспективы исследования квантовых и релятивистских эффектов в полупроводниках. Уменьшение размерности системы приводит благодаря размерному квантованию носителей заряда, с одной стороны, к эффективному понижению симметрии структуры и возможности наблюдения новых явлений, запрещенных в объемных материалах, а с другой – к резкому усилению роли кулоновского и спин-орбитального взаимодействий. Они во многих важных случаях, в частности, для одиночных центров окраски в кристаллах, примесных центров – доноров и акцепторов, монослойных дихалькогенидов переходных металлов, становятся доминирующими и определяют энергетический спектр и состояния системы. Размерное квантование также значительно усиливает сверхтонкое взаимодействие спинов электронов и ядер в полупроводниках. Узкие оптические резонансы низкоразмерных систем позволяют селективно возбуждать электрон-дырочные комплексы (нейтральные и заряженные экситоны) и передавать импульс и угловой момент фотона спиновым и долинным степеням свободы носителей заряда и их комплексам, ядрам основной решетки или примесных центров, а также управлять спиновыми и долинными степенями свободы немагнитными методами, что определяет, наряду с фундаментальным физическим интересом к таким системам, их значительный потенциал и для решения прикладных задач хранения и обработки информации. В ходе выполнения проекта будут проводиться исследования по следующим направлениям: - Развитие теории спиновой дефазировки и релаксации и теории спиновых флуктуаций локализованных носителей заряда в системах, где электрон или дырка взаимодействует с малым – от единиц до десятков – числом спинов ядер основной решетки. - Разработка моделей спиновой динамики, электронного парамагнитного резонанса и оптических свойств центров окраски в полупроводниках, в особенности центров со спином 3/2, связанных с вакансиями Si в SiC. - Построение теории электронных спиновых флуктуаций и корреляций в пространстве и во времени в квазиодномерных системах локализованных электронов с учетом обменного взаимодействия между носителями заряда, пространственного и энергетического беспорядка и сверхтонкого взаимодействия. - Разработка теории поляризационно-зависимого нелинейного оптического отклика, в частности, линейно-циркулярного дихроизма многофотонного поглощения и ориентации спиновых и (или) долинных степеней свободы в полупроводниках и полупроводниковых наносистемах в условиях сильного кулоновского взаимодействия. - Построение модели переноса экситонов в монослоях дихалькогенидов переходных металлов в условиях сильного экситон-фононного взаимодействия. Будет развита теория эффекта увлечения экситонов фононами (фононного ветра) при некогерентной генерации фононов в процессе релаксации фотовозбужденных экситонов, а также проанализирован транспорт экситонов в поле когерентной акустической волны. - Развитие теории резонансного оптомеханического отклика двумерных кристаллов на основе дихалькогенидов переходных металлов, обусловленного взаимодействием экситона с акустическими фононами.

Ожидаемые результаты
- Разработка теории спиновой диффузии с учетом конкуренции обменного электрон-электронного взаимодействия и сверхтонкого взаимодействия спинов носителей заряда и ядерных флуктуаций. Расчет коэффициентов диффузии, анализ режимов локализации/делокализации спиновых возбуждений. - Построение теории динамики, релаксации и флуктуаций спина для спиновых центров в полупроводниках, включая центры окраски и примесные центры, в том числе, в неравновесных условиях. Расчет спектров спиновых флуктуаций и времен релаксации в зависимости от интенсивности и частоты внешних воздействий. Анализ роли сверхтонкого и электрон-фононного взаимодействий. - Теория линейно-циркулярного дихроизма многофотонного поглощения в монослоях дихалькогенидов переходных металлов, теллуре и халькогенидах свинца в условиях сильного кулоновского взаимодействия как при резонансном возбуждении экситонов, так и при переходах в континуум электрон-дырочных состояний, модифицированных кулоновским взаимодействием. - Развитие теории зонной структуры и определение параметров многозонной kp-модели для кристаллов теллура под давлением в условиях, при которых происходят переходы полупроводник – полуметалл и тривиальный изолятор – топологический изолятор. Расчет магнитоиндуцированного кирального фототока при неполяризованном возбуждении теллура в условиях многофотонных переходов. - Построение теории экситонных состояний в нанопроволоках и квантовых точках на основе халькогенидов свинца в рамках атомистического подхода. Расчет спиновых расщеплений в нанопроволоках PbSe, определение основных механизмов фотогальванического и спин-гальванического эффектов в таких структурах, расчет величины и поляризационной зависимости фототоков. Учет упругих деформаций. - Разработка теории транспорта экситонов в условиях сильного экситон-фононного взаимодействия в монослоях дихалькогенидов переходных металлов. Разработка теории фононного ветра. Расчет эволюции облака экситонов в пространстве и во времени с учетом экситон-фононного увлечения. Анализ роли экситон-экситонного взаимодействия. - Развитие теории резонансного мандельштам—бриллюэновского рассеяния света на изгибных фононах в двумерных полупроводниках, определение основного механизма взаимодействия света с такими фононами. Развитие теории невзаимного распространения фононов в монослоях дихалькогенидов переходных металлов в условиях оптического возбуждения. Решение этих задач позволит сформировать понимание процессов релаксации, дефазировки и флуктуаций спинов электронов и ядер в наносистемах с сильной локализацией носителей заряда, выявить роль кулоновского взаимодействия в спиновой динамике и поляризационно-зависимом нелинейном оптическом отклике полупроводниковых наноструктур, исследовать эффекты экситон-фононного и оптомеханического взаимодействия в наносистемах, обусловленного кулоновскими эффектами. Выполненные исследования откроют возможность разработать принципы управления спинами носителей заряда и ядер оптическими методами.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2019 году
1) Разработана теория переноса спина в ансамбле локализованных носителей заряда, связанных обменным взаимодействием. Проанализирована конкуренция прыжков электронов между центрами локализации с испусканием и поглощением фононов, обменного и сверхтонкого взаимодействий в динамике спинов. Показано, что в ансамбле из конечного числа локализованных электронов за счёт эффекта спиновой блокады спиновая поляризация степенным образом спадает на больших временах. https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.075409 2) Построена теория спиновых флуктуаций ансамбля центров окраски в карбиде кремния при наличии внешнего магнитного поля и радиочастотного возбуждения. Рассчитаны спектры спиновых шумов. Показано, что, помимо модификации спектра спонтанных спиновых флуктуаций, радиочастотное возбуждение приводит к стимулированным флуктуациям, синхронным с гармониками радиочастотного поля. https://arxiv.org/abs/1910.13167 3) Развита теория линейно-циркулярного дихроизма междузонного поглощения света в двумерных кристаллах дихалькогенидов переходных металлов в условиях двух- и трехфотонного поглощения. Выполнены расчеты соответствующих коэффициентов поглощения в рамках двухзонной модели. Показано, что в рамках этой модели трехфотонное возбуждение приводит к генерации экситонов с проекцией углового момента огибающей волновой функции l_z=\pm 2. 4) Разработана теория энергетического спектра теллура. Расчеты дисперсии зон выполнены как в рамках метода функционала плотности, так и в рамках kp-теории возмущений с эффективным гамильтонианом, полученным методом инвариантов. Для ряда частных случаев получены аналитические выражения для дисперсии электронов и дырок, включая формулы для эффективных масс носителей заряда и коэффициентов при линейных по волновому вектору членов в энергетическом спектре зон. 5) Построена теория экситонного транспорта в монослоях дихалькогенидов переходных металлов в условиях их взаимодействия с неравновесными фононами. Получены и решены дрейфово-диффузионные уравнения, описывающие распространение экситонов при наличии фононного ветра и эффекта Зеебека. Описано наблюдаемое экспериментально экситонное гало – кольцеобразный пространственный профиль плотности экситонов. https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.045426 6) Рассчитаны электронные, дырочные и экситонные состояния в наносистемах на основе халькогенидов свинца в методе сильной связи. Предложен метод учета электрон-дырочного обменного взаимодействия в рамках метода сильной связи. Рассчитана тонкая структура основного экситонного состояния в квантовых точках из PbS, обусловленная конкуренцией долинных одночастичных расщеплений и межчастичного обменного взаимодействия. Результаты расчетов хорошо описывают экспериментальные данные по температурной зависимости спектров люминесценции одиночных коллоидных квантовых точек. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b02937 7) Разработана процедура расчета оптических свойств нанокристаллов встроенных в широкозонную диэлектрическую матрицу. Данный метод применен к квантовым точкам Si в матрице SiO2. Показано, что при высокоэнергетическом оптическом поглощении (фотовозбуждении горячих носителей), пограничные с квантовой точкой слои диэлектрической матрицы могут вносить существенный вклад в сечение поглощения всей системы. https://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2019/FD/C9FD00090A#!divAbstract 8) Построена теория резонансного взаимодействия света с изгибными колебаниями двумерных мембран. Показано, что в зависимости от отстройки от резонанса эффективная сила натяжения мембраны, индуцированная падающим электромагнитным полем, может быть как положительной, так и отрицательной, приводя в первом случае к разглаживанию мембраны и во втором случае к переходу мембраны в скомканное состояние. https://arxiv.org/abs/1907.02010

 

Публикации

1. Глазов М.М. Phonon wind and drag of excitons in monolayer semiconductors Physical Review B, 100, 045426 (год публикации - 2019) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.045426

2. Манцевич В.Н., Смирнов Д.С. Universal power law decay of spin polarization in double quantum dot Physical Review B, 100, 075409 (год публикации - 2019) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.075409

3. Нестоклон М.О., Авдеев И.Д., Белолипецкий А.В., Сычугов И., Певере Ф., Линнрос Я., Яссиевич И.Н. Tight-binding calculations of optical properties of Si nanocrystals in SiO2 matrix Faraday Discussions, - (год публикации - 2019) https://doi.org/10.1039/C9FD00090A

4. Ху Ж., Ким Й., Кришнамурти С., Авдеев И.Д., Нестоклон М.О., Синх А., Малко А.В., Гупалов С.В., Холлингсворт Дж. А., Хтун Х. Intrinsic Exciton Photophysics of PbS Quantum Dots Revealed by Low-Temperature Single Nanocrystal Spectroscopy Nano Letters, - (год публикации - 2019) https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b02937


Аннотация результатов, полученных в 2020 году
1) Выведен эффективный гамильтониан, описывающий тонкую структуру дефекта со спином 3/2 в деформированном карбиде кремния. Продемонстрировано, что статическая деформация в нулевом магнитном поле приводит к перенормировке расщепления между подуровнями с проекциями спина \pm 1/2 и \pm 3/2 на гексагональную ось. Во внешнем магнитном поле деформация приводит к смешиванию спиновых состояний, различающихся по проекции спина на 1 или 2, и приводит к антипересечению уровней. Разработана теоретическая модель оптического спинового выстраивания и формирования сигнала оптически детектируемого магнитного резонанса для центров со спином 3/2 во внешнем магнитном поле. 2) Найдена параметризация kp-гамильтониана объемного теллура, согласующаяся с атомистическими расчетами в методе функционала плотности. Из атомистических расчетов определены величины деформаций, при которых запрещенная зона закрывается и формируются вейлевские узлы, выведен гамильтониан 2x2, описывающий дисперсию вблизи этих узлов. 3) Рассчитан линейно-циркулярный дихроизм многофотонного поглощения и степень долинной ориентации носителей заряда в рамках двумерной дираковской модели. Продемонстрировано, что степень долинной ориентации является универсальной функцией энергии фотоэлектрона, отсчитанной от дна зоны проводимости. 4) Выполнен численный расчет на основе решения уравнения Шреденгера в пространстве волновых векторов фактора Зоммерфельда, описывающего влияние кулоновского взаимодействие на коэффициент поглощения света при переходе в континуум в случае, когда потенциал взаимодействия электрона и дырки описывается моделью Рытовой-Келдыша. Проанализировано изменение ответа при учете непараболичности зон. 5) Построена теория дальнодействующего обменного взаимодействия и долинной динамики экситонов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе дихалькогенидов переходных металлов. Выполнены расчеты расщепления в зависимости от волнового вектора экситона и диэлектрического окружения монослоя, а также рассчитана скорость долинной деполяризации экситонов. Показано, что в зависимости от параметров структуры времени затухания долинной поляризации может варьироваться до 7 раз. https://arxiv.org/abs/2010.01352 6) Продемонстрирована эквивалентность «трионного» и «ферми-поляронного» подходов к расчету оптических свойств легированных двумерных кристаллов в случае низкой плотности электронного газа. Рассчитаны оптические спектры легированных монослоев дихалькогенидов переходных металлов при наличии магнитного поля и перенормировка g-фактора триона за счет поляризации электронного газа. https://arxiv.org/abs/2004.13484 7) Рассчитан коэффициент диффузии экситонов с учетом эффекта ионизации экситонов, в том числе при наличии электронного газа малой плотности. Показано, что с ростом концентрации экситонов коэффициент диффузии убывает. Описаны экспериментальные данные по экситонному транспорту в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов и гексагонального нитрида бора, полученные в университете Регенсбурга, Германия. 8) Рассчитано оптомеханическое натяжение двумерной кристаллической мембраны под действием поляризованного света, падающего по нормали к плоскости кристалла. Показано, что в зависимости от знака отстройки частоты от резонанса излучение может приводить как к разглаживанию, так и скомкиванию кристалла. Исследована поляризационная зависимость эффекта и его влияние на фазовый переход мембраны в скомканное состояние. 9) Теоретически предсказан новый тип полярона – межслоевой экситонный полярон, в котором изгибная деформация решетки в двухслойных атомарно-тонких кристаллах возникает за счет кулоновского притяжения электрона и дырки, находящихся в разных слоях. Выполнены расчеты энергии связи и эффективной массы межслоевого полярона в режимах слабой и сильной связи в зависимости от параметров структуры и расстояния между слоями. https://arxiv.org/abs/2009.02793 10) На основе метода сильной связи и модели конфигурационного взаимодействия рассчитаны кулоновские эффекты в квантовых точках PbS разных размеров и с разной формой поверхности. Показано, что тонкая структура экситонных состояний обусловлена конкуренцией одночастичных долинных расщеплений и обменного кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой. 11) Развита модель тонкой структуры экситонных состояний в монослойной квантовой яме GaN/AlN. Рассчитано расщепление между светлыми и тёмными экситонными состояниями, а также оценено спин-орбитальное расщепление экситонных уровней. 12) В рамках метода матрицы плотности рассчитана спиновая динамика электрона во внешнем магнитном поле в квантовой точке, помещённой в нульмерный микрорезонатор. Исследован режим сильной связи фотона, плененного в резонаторе, и триона, и проанализировано влияние интенсивного света на спиновую прецессию электрона. https://arxiv.org/abs/2008.06442

 

Публикации

1. Авдеев И.Д., Поддубный А.Н., Пошакинский А.В. Resonant Optomechanical Tension and Crumpling of 2D Crystals ACS Photonics, 7, 9, 2547–2554 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1021/acsphotonics.0c00881

2. Глазов М.М. Optical properties of charged excitons in two-dimensional semiconductors The journal of chemical physics, 153, 034703 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1063/5.0012475

3. Нестоклон М.О., Авдеев И.Д., Гупалов С. Theory of excitonic states in lead salt quantum dots Proceedings of SPIE, 11288 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1117/12.2542847

4. Пошакинский А.В., Тарасенко С.А. Spin noise at electron paramagnetic resonance Physical Review B, Vol 101, pages 075403(1-8) (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.075403

5. Семина М.А., Глазов М.М., Шерман Е. Interlayer Exciton–Polaron in Atomically Thin Semiconductors Annalen der Physik, 2000339 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1002/andp.202000339

6. Ципфель И., Кулиг М., Переа-Кузин Р., Брем С., Циглер И.Д., Розати Р., Танигучи Т., Ватанаби К., Глазов М.М., Малич Э., Черников А. Exciton diffusion in monolayer semiconductors with suppressed disorder Physical Review B, 101, 115430 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.115430

7. Глазов М.М., Ивченко Е.Л. Долинная ориентация электронов и экситонов в атомарно-тонких дихалькогенидах переходных металлов Письма в ЖЭТФ, - (год публикации - 2021)

8. Праздничных А.И., Глазов М.М., Рен Л., Робер С., Урбажек Б., Марие Кс. Control of the exciton valley dynamics in van der Waals heterostructures arXiv preprint:2010.01352, arXiv:2010.01352 (год публикации - 2020)


Аннотация результатов, полученных в 2021 году
1) Построена теория тонкой структуры энергетического спектра оптически активных возбужденных состояний спиновых центров, связанных с кремниевыми вакансиями в SiC, определены правила отбора при оптических переходах и исследовано влияние деформации на структуру состояний и правила отбора. На основе сопоставления с экспериментальными данными определена структура возбужденных состояний для всех кремниевых вакансий в политипе 6H-SiC. https://arxiv.org/abs/2107.06989 2) Развита теория спиновой динамики одиночных вакансий Zn в ZnSe, индуцированной сверхтонким, обменным и спин-орбитальным взаимодействиями. Проведено сравнение теории с данными эксперимента, выполненного в Техническом университете Дортмунда (Германия). https://www.nature.com/articles/s43246-021-00198-z 3) Построена теория квантового эффекта Зенона для спинов одиночных электронов в квантовых точках, помещенных в микрорезонатор. Рассчитаны скорости спиновой релаксации, спектры и биспектры спинового шума электрона, вычислена скорость накопления квантовой информации при непрерывном измерении. 4) Получено точное решение для ядерной спиновой динамики в модели центрального спина в приближении ящика во внешнем магнитном поле и предсказана возможность генерации сжатых и многочастично запутанных ядерных спиновых состояний. https://arxiv.org/abs/2012.03872 5) Построена теория эффекта спиновой ориентации дырки в квантовой точке за счет электрического тока, протекающего по туннельно связанному с ней баллистическому квантовому проводу. Механизм ориентации связан с реализацией хиральных состояний дырок в таких структурах. Выполнены оценки эффекта для наноструктур на основе классических полупроводников: Si, Ge и GaAs. https://arxiv.org/abs/2107.06741 6) Описаны результаты экспериментов, выполненных в университете Регенсбурга (Германия) по квантовому транспорту экситонов в атомарно-тонких кристаллов. Показано, что эффект слабой локализации экситонов приводит к резкому понижению коэффициента диффузии с увеличением температуры при низких температурах. https://arxiv.org/abs/2107.11168 7) Построена модель тонкой структуры экситонных состояний в деформированных атомарно-тонких кристаллов, рассчитаны два основных вклада в расщепление радиационного дублета, связанных с дальнодействующим и короткодействующим электрон-дырочным обменным взаимодействием. 9) В рамках усовершенствованного нами метода конфигурационного взаимодействия рассчитана тонкая структура экситонных состояний в квантовых точках PbS. Выполнены атомистические расчеты g-факторов носителей заряда и экситонов. Продемонстрирована значительная чувствительность эффекта Зеемана к форме квантовой точке и числу атомов в ней. 11) Найдены параметры kp-модели для атомарно тонких квантовых ям GaN/AlN. Рассчитаны экситонные состояния, в том числе определены расщепления между светлыми и тёмными состояниями. Проведено сравнение теории с данными эксперимента, выполненного ФТИ им. А. Ф. Иоффе. 12) Предложен аналог эффекта храповика в ансамбле резонансных излучателей – квантовых ям или квантовых точек, взаимодействующих с волноводной модой. Эффект обусловлен модуляцией резонансных частот во времени и проявляется в пространственной асимметрии заселённостей излучателей при пространственно-симметричной оптической накачке. https://arxiv.org/abs/2109.09731

 

Публикации

1. Вагнер К., Ципфель Й., Розати Р., Виетек Э., Циглер Й.Д., Брем С., Переа-Каузин Р., Танигучи Т., Ватанабе К., Глазов М.М., Малич Э., Черников А. Nonclassical Exciton Diffusion in Monolayer WSe2 Physical Review Letters, 127, 076801 (год публикации - 2021) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.127.076801

2. Ким Ю., Ху Ж., Авдеев И.Д., Сингх Аж., Сингх Ам., Чандрасекаран В., Нестоклон М.О., Гупалов С.В., Холлингсвогт Дж., Хтун Х. Interplay of Bright Triplet and Dark Excitons Revealed by Magneto-Photoluminescence of Individual PbS/CdS Quantum Dots Small, 17, 2006977 (год публикации - 2021) https://doi.org/10.1002/smll.202006977

3. Кирштейн Э., Жуков Е.А., Смирнов Д.С., Неделеа В., Греве Ф., Калитухо И.В., Сапега В.Ф., Паулис А., Яковлев Д.Р., Байер М., Грейлих А. Extended spin coherence of the zinc-vacancy centers in ZnSe with fast optical access Communications materials, 2, 91 (год публикации - 2021) https://doi.org/10.1038/s43246-021-00198-z

4. Леппенен Н.В., Голуб Л.Е., Ивченко Е.Л. Sommerfeld enhancement factor in two-dimensional Dirac materials Physical Review B, 103, 235311 (год публикации - 2021) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.235311

5. Поддубный А.Н., Голуб Л.Е. Ratchet effect in frequency-modulated waveguide-coupled emitter arrays Physical Review B, 104, 205309 (год публикации - 2021) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.205309

6. Шумилин А.В., Смирнов Д.С. Nuclear Spin Dynamics, Noise, Squeezing, and Entanglement in Box Model Physical Review Letters, 126, 216804 (год публикации - 2021) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.126.216804


Возможность практического использования результатов
Последние два десятилетия в физике полупроводников и полупроводниковых наносистем проходят в значительной мере под знаменем исследования спиновых явлений. Острые оптические резонансы низкоразмерных систем позволяют селективно возбуждать электрон-дырочные комплексы (нейтральные и заряженные экситоны) и передавать импульс и угловой момент фотона спиновым и долинным степеням свободы носителей заряда и их комплексам, ядрам основной решетки или примесных центров, а также управлять спиновыми и долинными индексами немагнитными методами, что определяет, наряду с фундаментальным физическим интересом к таким системам, их значительный потенциал и для решения прикладных задач хранения и обработки информации. Проведенные в рамках проекта теоретические исследования открывают новые возможности для квантовых технологий, а также для создания сверхчувствительных датчиков магнитных полей и поляризации света. Полученные в рамках проекта результаты могут быть использованы (и уже используются) в образовательной деятельности.