КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 18-72-00073

НазваниеГрафен-содержащие материалы для спинтроники и квантовых вычислений

РуководительКлимовских Илья Игоревич, Кандидат физико-математических наук

Организация финансирования, регион федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет", г Санкт-Петербург

Период выполнения при поддержке РНФ 07.2018 - 06.2020 

Конкурс№29 - Конкурс 2018 года по мероприятию «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными.

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе, 02-203 - Поверхность и тонкие пленки

Ключевые словаграфен, топологические изоляторы, квантовые материалы, спинтроника, Дираковский конус, фотоэлектронная спектроскопия, синхротронное излучение

Код ГРНТИ29.19.16


СтатусУспешно завершен


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Электроника на основе графена представляет собой отдельную бурно развивающуюся отрасль, вследствие его уникальных электрофизических и механических свойств. При этом контакт графена с другими материалами приводит к фундаментально новым эффектам, которые позволяют создавать устройства в области спинтроники и квантовых компьютеров. Так, конус Дирака в графене, контактирующем с атомами тяжелых металлов оказывается расщепленным по спину, демонстрируя возможность генерации спиновых токов и реализации устройства перемагничивания на основе спин-торк эффекта. Более того, взаимодействие с тяжелыми металлами может открыть нетривиальную запрещенную зону в графене, и создать фазу топологического изолятора (квантовый спиновый эффект Холла), что перспективно для приборов с одномерными топологически защищенными каналами проводимости. Контакт графена с магнитными металлами особенно важен для спинтроники, позволяя использовать его транспортные характеристики для передачи сигнала. При этом наиболее интересным оказывается взаимодействие графена одновременно с магнитными и тяжелыми элементами. В этом случае предполагается открытие нетривиальной запрещенной зоны и фазы квантового аномального эффекта Холла, на основе которой возможно создание кубитов для квантовых вычислений, топологически защищенных от декогеренции. Данный проект направлен на создание и детальное исследование систем на основе графена и ультратонких пленок атомов тяжелых и магнитных металлов. Целью проекта является надежное управление параметрами графена, необходимыми для работы устройств спинтроники и квантовых компьютеров (спиновая поляризация состояний, ширина запрещенной зоны и т.д.). Основными методами исследования электронной, спиновой и атомной структуры будут фотоэлектронная спектроскопия с угловым и спиновым разрешениями с использованием синхротронного излучения (XPS, (S)ARPES) и сканирующая туннельная микроскопия (STM). Графен-содержащие системы будут выращены на монокристаллических подложках (Pt(111), Ir(111), Co(0001), SiC-6H) с последующим напылением и/или интеркаляцией ультратонких пленок тяжелых (Au, Pt, Ir, Pb, Bi, Gd) и магнитных (Co, Ni, Gd) металлов. Предполагается детальное изучение электронной и спиновой текстуры конуса Дирака в данных системах, ее зависимость от кристаллической структуры материалов. На основе фотоэмиссионных данных будет проанализирована ширина запрещенной зоны и ее топологический характер, возможность перехода графена в фазу квантового спинового/аномального эффектов Холла. На основании полученных данных будут предложены прототипы устройств спинтроники (спиновый вентиль, генератор спиновых токов) и модель для создания топологически защищенного кубита.

Ожидаемые результаты
В рамках проекта будет детально исследована электронная и спиновая структура систем на основе графена и ультратноких пленок тяжелых и магнитных металлов на различных подложках. Будут отработаны методики синтеза соответствующих систем и технологии напыления ультратноких пленок металлов и их интеркаляции под графен. Будут выявлены зависимости основных параметров (положение точки Дирака, ширина запрещенной зоны, спиновая поляризация конуса Дирака), от типа контактирующих металлов и кристаллической структуры систем и направления магнитной анизотропии. Анализ in-plane и out-of-plane компонент спиновой поляризации позволит определить характер сформированной запрещенной зоны и выявить переход системы в фазу топологического изолятора. На основании полученных данных будут предложены модели, описывающие электронную и спиновую текстуру конуса Дирака в графене при контакте с различными металлами. Будут определены оптимальные параметры систем для функционирования устройств спинтроники и создания топологически-защищенного кубита на основе графена, а также синтезированы системы с заданными спиновыми и электронными свойствами. Помимо металлических подложек Pt, Ir, Co с целью применения в устройствах квазидвумерные системы графен/ тяжелый (магнитный) металл будут сформированы на полупроводниковой подложке SiC-6H (0001). Предполагается изучение температурных зависимостей транспортных характеристик, включая квантование проводимости систем при переходе в топологическую фазу. На заключительной стадии проекта предполагается разработка прототипов спинтронных устройств на основе контакта графена с тяжелыми/магнитными металлами (генератор спиновых токов, спиновый вентиль, спиновый транзистор) а также прототипа кубита на основе графена в фазе топологического изолятора.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2018 году
В рамках работы по проекту разработаны методики синтеза ряда графен-содержащих систем, а именно, графен/Gd/Ir(111), Gd/графен/Gd/Pt(111), графен/Au/Co(0001), графен/Pb(Bi)/Ir(111)(Re(0001)). Методами сканирующей туннельной микроскопии, дифракции медленных электронов и фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней изучена морфология и атомная структура поверхностных слоев систем на различных стадиях формирования. Методами ФЭС с угловым и спиновым разрешениями детально изучена электронная и спиновая структура систем и обнаружен ряд уникальных эффектов, перспективных для применения в спинтронике и других наноразмерных устройствах. Для системы графен/Gd/Ir(111) показано, что интеркаляция атомов Gd не меняет Муаровой сверхрешетки 9.3х9.3, характерной для графена на Ir(111). Однако выявлено что под графеном возникает новая сверхструктура 2х2, которая связана с формированием поверхностного сплава Gd-Ir. Более того, хотя период Муаровой сверхрешетки не изменяется, корругация графенового слоя существенно увеличивается после интеркаляции. При этом продемонстрировано, что данное увеличение не связано с геометрическим изгибом графена, но с изменением локальной плотности состояний, т.н. электронной корругацией. Формирование поверхностного сплава Gd-Ir под графеном со структурой 2х2 также подтверждено при помощи дифракции медленных электронов и фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней. Изучена электронная структура системы графен/Gd/Ir(111) при помощи метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. Показано, что интеркаляция атомов Gd приводит к сдвигу конуса Дирака на 1 эВ в сторону увеличения энергии связи. При этом квазисвободный характер дисперсии графена на нарушается, вместе с основной ветвью конуса Дирака сдвигаются ее реплики, образованные вследствие Муаровой сверхрешетки. Выявлено, что верхняя и нижняя части конуса Дирака пересекаются в точке Дирака, то есть запрещенная зона отсутствует, что позволяет предположить слабое индуцирование спин-орбитального взаимодействия в графене вследствие формирования поверхностного сплава Gd-Ir. Спиновая текстура конуса Дирака изучена при помощи метода ФЭСУР со спиновым разрешением, и выявлено что расщепление графеновых состояний по спину практически отсутствует, что подтверждает вывод об отсутствии усиления спин-орбитального взаимодейтвия в графене на Gd-Ir(111). Детальный анализ ФЭСУР спектров показал что локальные запрещенные зоны, открывающиеся в местах пересечения реплик и основной ветви, исчезают после интеркаляции атомов Gd, вместе с фундаментальной запрещенной зоной. Их закрытие может быть связано с восстановлением симметрии подрешеток графена, вызванное сильным переносом заряда и/или блокировкой гибридизации графена и 5d состояний Ir подложки. При этом выявлено, что перенос заряда сдвигает конус Дирака и реплики так, что их пересечения попадают на уровень Ферми. Данный факт, вместе с возможностью управления запрещенными зонами оказывается перспективным для эффектов туннелирования Кляйна, спектра типа «бабочки Хофштадтера» и даже сверхпроводимости, наблюдающихся в графеновых сверхрешетках. Для системы графен/Gd/Pt(111) показано что после напыления атомов Gd и прогревов до температур ниже 1000 С происходит интеркаляция атомов Gd с формированием равномерного покрытия, а при прогреве выше 1000 С происходит поверхностное сплавление, при этом структура сплава характеризуется монослоем атомов Pt наверху. Изучена электронная структура на различных стадиях формирования системы. Показано что напыление атомов Gd приводит к свдигу точки Дирака в сторону увеличения энергии связи, что объясняется переносом заряда с атомов Gd на графен. При этом линейная дисперсия конуса Дирака локально искажается в области точки Дирака, что связывается с эффектами гибридизации и «непересечения» графеновых и 5d состояний платины. Вследствие спин-орбитального расщепления платиновых зон ожидается сильное индуцирование спиновой поляризации в графене, и возможности реализаиции топологической фазы. После прогрева системы до температур ниже 1000 С происходит интеркаляция атомов Gd и частичная десорбция их с поверхности, что выражается в спектрах как перераспределение интенсивности конусов Дирака с разными энергиями связи. После прогрева системы до температур выше 1000 С наблюдаются существенные изменения в электронной структуре. Вследствие формирования поверхностного сплава, у которого наверху локализуется монослой Pt дисперсионные зависимости Pt состояний видоизменяются в соответствии с эффектами размерного квантования. При этом в местах пересечения с конусом Дирака наблюдаются спин-зависимые эффекты гибридизации и формирования локальных запрещенных зон. Помимо возможности использования системы графен/Gd/Pt(111) в спинтронике было предложено применение системы в качестве наноразмерного химического реактора вследствие аномальных каталитических свойств системы Gd-Pt(111) и возможности эффективной интеркаляции различных молекул под графен. Для системы графен/Au/Co(0001) в зависимости от адсорбированного покрытия Au и температуры отжига показано формирование разных сверхструктуры слоя золота, в том числе 8х8, 9х9 и 13х13. Более того, измерения спиновой текстуры конуса Дирака для различных сверхструктур демонстрируют разные величины спиновых расщеплений графеновых состояний. Были проведены измерения электронной структуры системы графен/Au/Co при адсорбции атомов Gd. Перенос заряда с атомов Gd на графен приводит к сдвигу точки Дирака ниже уровня Ферми, так что начинает заполняться верхняя часть конуса. При этом было выявлено что в точке Дирака запрещенная зона отсутствует, что предположительно связано с небольшим вкладом «внутреннего» спин-орбитального взаимодействия в графене. Для систем графен/Pb(Bi)/Ir(111) (Re(0001)) изучена электронная структура систем методом ФЭСУР до и после интеркаляции атомов Pb и Bi. После интеркаляции атомов Pb(Bi) дисперсионные картины существенно меняются для системы графен/Re(0001). Для них уже становится возможно наблюдение практически невозмущённого конуса графена с точкой Дирака немного ниже уровня Ферми 0.3 эВ, в то время как до интеркаляции конус Дирака разрушен. При интеркаляции Pb и Bi дисперсионные картины (E,k) оказались достаточно похожими Это может быть объяснено тем, что вблизи уровня Ферми у Pb и Bi есть только sp зона, которая осуществляет только энергетический сдвиг и не приводит к модификации pi-состояний. Тогда как восстановление конуса при интеркаляции объясняется скорее уменьшением взаимодействия между графеном и рением. Наиболее примечательным в структуре графен/Pb(Bi)/Re(0001) отказывается появление запрещенной зоны в точке Дирака. Также для данной системы были измерены спиновые спектры, но достоверно наличие спиновой поляризации состояний графена не удалось установить, из-за значительного присутствия d состояний рения. Из дисперсионных зависимостей (E,k) для системы графен/Pb/Ir(111) было установлено, что после интеркаляции Pb положение точки Дирака смещается приблизительно на 400-500 мэВ в сторону больших энергий связи до 250 мэВ. Таким образом величина допинга оказывается одинаковой с системой графен/Pb(Bi)/Re(0001). Однако, явной запрещенной зоны в точке Дирака не было обнаружено. Измерение спектров со спиновым разрешением показало наличие спиновой поляризации ветвей Дираковского конуса с расщеплением до 100 мэВ. Таким образом значительная часть спинового расщепления описывается расщеплением типа Рашбы.

 

Публикации

1. Климовских И.И., Кривенков М., Варыхалов А., Естюнин Д., Шикин А.М. Reconstructed Fermi surface in graphene on Ir(111) by Gd-Ir surface alloying Carbon, Том 147, Стр. 182-186 (год публикации - 2019) https://doi.org/10.1016/j.carbon.2019.02.037


Аннотация результатов, полученных в 2019 году
В рамках работы по проекту был проведен синтез и отработка деталей синтеза систем на основе графена при контакте с различными тяжелыми/магнитными металлами и их поверхностными сплавами на металличиских и полупроводниковых подложках. Системы были охарактеризованы и изучены методами ДМЭ, СТМ, РФЭС, ФЭС с угловым и спиновым разрешениями. Детально изучена морфология и атомная структура поверхности, электронная и спиновая текстура графеновых состояний и их гибридизация с состояниями металлов. Был проведен эффективный синтез квази-свободного графена на нанотонком эпитаксиальном сплаве Pt5Gd, который может быть использован в каталитических реакциях в топливных элементах. Отработаны методики синтеза системы с различной концентрацией атомов Gd и различным качеством графена. Для характеризации структурных и электронных свойств низкоразмерной системы были применены поверхностно-чувствительные методы (ДМЭ, ФЭС, ФЭСУР, СТМ) и ab initio расчеты. Установлено, что вакансии Pt случайным образом распределяются по поверхности системы Gr / Pt (111), а их низкая поверхностная концентрация, по сравнению с ранее опубликованными значениями, позволяет сформировать квазисвободный графен. Согласно данным ФЭСУР и ТФП расчету , графен поверх сплава Pt5Gd p-допирован и обладает гибридизацией со сплавом даже на Ван-дер-Ваальсовом расстоянии. Тем не менее, линейная дисперсия π-состояния вблизи уровня Ферми сохраняется. Наши результаты свидетельствуют о том, что рост тонких слоев платины путем магнетронного распыления с его кристаллизацией и последующим синтезом графена на наноразмерном сплаве Pt5Gd открывает большие возможности для недорогого производства катализаторов. По результатам работы подготовлена статья, находящаяся в данный момент на рецензии в журнале Applied Surface Science (Q1, impact factor=5.2) Получена детальная информация о структуре системы графен/Au/Co, с различной концентрацией атомов Au. Показано, что при интеркаляции атомов Au формируется сеть петлевых дислокаций, и формируется поверхностный сплав Au-Co. При определенной концентрации Au выявлено образование уникального электронного состояния в точке Г зоны Брюллиэна, имеющего структуру конуса Дирака, близкую к структуре состояний топологического изолятора. С целью модификации магнитных свойств графена синтезирована и изучена система графен/Au/Co с интеркалированными атомами Mn. При помощи РФЭС с разрешением по углу, что интеркаляция атомов Mn происходит при 600 С, причем анализ спектров остовных уровней Mn позволил выявить формирование связи между атомами Mn и Au. Линейная дисперсия конуса Дирака графена при этом не нарушается, однако наблюдается закономерный сдвиг точки Дирака, обсуловленный переносом заряда с атомов Mn на графен. Полученные результаты свидетельствуют об формировании ультратонкого слоя Mn под графеном, который также взаимодействует с атомами Au. При определенных параметрах возможно формирование интерфейсного сплава Mn3Au, который является высокоперспекктивным антиферромагнетиком для терагерцовой спинтроники. С целью формирования графена с магнитными свойствами на полупроводниковой подложке синтезирована и изучена система графен на SiC-6H(0001) с интеркалированными атомами Mn. При помощи методам РФЭС с разрешением по углу показано, что интеркаляция атомов Mn происходит при температуре 550 С. В результате интеркаляции Mn слоя выявлен сдвиг уровня C1s примерно на 0.2 eV в сторону меньших энергий связи. Методом ФЭСУР изучены дисперсии электронных π-состояний на разных этапах формирования системы. Для чистой системы gr/SiC наблюдается сдвиг точки Дирака в сторону больших энергий связи относительно уровня Ферми на 0.41 эВ, что соответствует ранее опубликованным работам. Напыление атомов Mn на систему графен/SiC приводит к сдвигу точки Дирака на дисперсии на уровень 0,44 эВ, вследствии переноса заряда с атомов марганца к атомам углерода, что приводит к сдвигу точки Дирака в сторону больших энергий связи. При дальнейшем отжиге системы до температуры в пределах 550°C наблюдается небольшое смещение конуса к уровню Ферми – 0.38 эВ что может быть следствием перераспределения атомов Mn между графеном и буферным слоем. Полученные данные позволяют рассмотреть формирование квазидвумерного слоя Mn под графеном на SiC. Влияние Mn слоя на магнитные свойства графена требует дальнейшего изучения. На основе экспериментальных результатов по электронной и спиновой структура графена в контакте с тяжелыми и магнитными металлами (Ni,Co, Au,Pt) и теоретических оценок предложена модель элемента на основе графена для элементарной ячейки SOT-MRAM, состоящая из квази-свободного графена, интеркалированного Au, и ультратонкого слоя Pt, расположенного между графеном и свободным магнитным слоем. Результаты измерений электронной и спиновой структуры графена при контакте с тяжелыми металлами в рамках проекта позволили показать эффективность использования графена в данном устройстве. Измерения СТМ и СЭМ показали низкую дефектность и термальную устойчивость используемых систем. Полученные результаты опубликованы в работе Rybkina et al., Nanotechnology 31, 165201(2020) (Q1, Impact factor=3.4, https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab6470)

 

Публикации

1. Рыбкин А.Г., Рыбкина А.А., Тарасов А.В., Пудиков Д.А., Климовских И.И., Вилков О.Ю., Петухов А.Е., Усачев В.Ю., Естюнин Д.А., Ворошнин В.Ю, Варыхалов А., Ди Санто Д., Петачча Л., Швиер А., Шимада К., Кимура А., Шикин А.М. A new approach for synthesis of epitaxial nano-thin Pt5Gd alloy via intercalation underneath a graphene Applied Surface Science, v. 526 p. 146687 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.146687

2. Рыбкина А.А., Рыбкин А.Г., Климовских И.И., Скирдков П.Н., Звездин К.А., Звездин А.К., Шикин А.М. Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory Nanotechnology, Volume 31 Issue 16 Pages 165201 (год публикации - 2020) https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab6470


Возможность практического использования результатов
не указано